[实用新型]紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统以及光刻机有效

专利信息
申请号: 202120990785.7 申请日: 2021-05-10
公开(公告)号: CN215067714U 公开(公告)日: 2021-12-07
发明(设计)人: 李鹏飞;杨宇航;蔡潍;戚蓉蓉 申请(专利权)人: 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G02B13/00;G02B13/22;G02B13/14
代理公司: 北京景闻知识产权代理有限公司 11742 代理人: 么立双
地址: 230088 安徽省合肥市高新区*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 紫外 光谱 无掩膜 光刻 成像 系统 以及
【权利要求书】:

1.一种紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统,其特征在于,包括:第一镜头组件以及第二镜头组件,所述第一镜头组件的焦距为f1,所述第二镜头组件的焦距为f2,紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统的焦距为f,所述紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统满足关系式:0.05≤f1/f≤0.09,0.21≤f2/f≤0.41;

所述第一镜头组件包括:第一透镜、第二透镜、第三透镜、第四透镜、第五透镜、第六透镜、第七透镜、第八透镜、第九透镜,所述第二镜头组件包括:第十透镜、第十一透镜、第十二透镜,所述第一透镜到所述第十二透镜沿光轴从物侧到像侧依次设置,且所述第一透镜到所述第十二透镜均为单透镜。

2.根据权利要求1所述的紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统,其特征在于,

所述第一透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.40≤Nd≤1.50,80≤Vd≤85;

所述第二透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.40≤Nd≤1.55,60≤Vd≤65;

所述第三透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.40≤Nd≤1.50,80≤Vd≤85;

所述第四透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.70≤Nd≤1.75,50≤Vd≤55;

所述第五透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.40≤Nd≤1.50,80≤Vd≤85;

所述第六透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.70≤Nd≤1.75,50≤Vd≤55;

所述第七透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.40≤Nd≤1.50,80≤Vd≤85;

所述第八透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.40≤Nd≤1.50,80≤Vd≤95;

所述第九透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.40≤Nd≤1.50,80≤Vd≤85;

所述第十透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.55≤Nd≤1.65,35≤Vd≤45;

所述第十一透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.60≤Nd≤1.65,30≤Vd≤40;

所述第十二透镜的折射率Nd和阿贝数Vd满足关系式:1.65≤Nd≤1.75,50≤Vd≤60。

3.根据权利要求1所述的紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统,其特征在于,所述第一透镜、所述第八透镜、所述第九透镜中至少一个为弯月透镜;

和/或,所述第二透镜为平凸透镜,所述第十二透镜为平凸透镜。

4.根据权利要求1所述的紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统,其特征在于,所述紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统为双远心结构。

5.根据权利要求1所述的紫外宽光谱无掩膜光刻成像系统,其特征在于,所述第一透镜、所述第四透镜、所述第六透镜以及所述第十透镜为负透镜,所述第二透镜、所述第三透镜、所述第五透镜、所述第七透镜、所述第八透镜、所述第九透镜、所述第十一透镜、所述第十二透镜为正透镜。

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