[实用新型]一种耐腐蚀抗老化的PS黑色半导电片材有效

专利信息
申请号: 202120992298.4 申请日: 2021-05-11
公开(公告)号: CN217124218U 公开(公告)日: 2022-08-05
发明(设计)人: 李亮章 申请(专利权)人: 东莞市天耀高分子材料科技有限公司
主分类号: B32B27/36 分类号: B32B27/36;B32B33/00;B32B27/06;B32B27/30;B32B27/08;B32B7/12
代理公司: 东莞市卓易专利代理事务所(普通合伙) 44777 代理人: 黄瀛
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 腐蚀 老化 ps 黑色 导电
【权利要求书】:

1.一种耐腐蚀抗老化的PS黑色半导电片材,包括PS主体层(1)和粘连层(2),其特征在于:所述PS主体层(1)的上表面和下表面分别通过粘连层(2)固定连接有上强化层(3)和下强化层(4),所述下强化层(4)的下表面通过粘连层(2)固定连接有导电层(5),所述上强化层(3)远离PS主体层(1)的一侧通过粘连层(2)固定连接有绝缘层(6),所述绝缘层(6)远离上强化层(3)的一侧和导电层(5)远离下强化层(4)的一侧均通过粘连层(2)固定连接有疏水层(7),所述疏水层(7)的表面通过粘连层(2)固定连接有耐腐蚀层(8)。

2.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀抗老化的PS黑色半导电片材,其特征在于:所述粘连层(2)的材料为乙烯-丙烯酸乙酯共聚物。

3.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀抗老化的PS黑色半导电片材,其特征在于:所述上强化层(3)和下强化层(4)的材料均为乙烯-醋酸乙烯酯共聚物。

4.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀抗老化的PS黑色半导电片材,其特征在于:所述PS主体层(1)的厚度为0.3mm,所述上强化层(3)、下强化层(4)、导电层(5)、绝缘层(6)、疏水层(7)和耐腐蚀层(8)的厚度均为0.1mm,所述粘连层(2)的厚度为0.05mm。

5.根据权利要求1所述的一种耐腐蚀抗老化的PS黑色半导电片材,其特征在于:所述疏水层(7)的材料为4043D挤出薄膜型聚乳酸。

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