[实用新型]一种等离子体蚀刻装置

说明书

本实用新型涉及一种等离子体蚀刻装置。等离子体蚀刻装置包括腔体；进气口，进气口设于腔体的一侧，用于供目标气体通入腔体；排气口，排气口设于腔体远离进气口的一侧，用于排气；第一电极组件，第一电极组件设于腔体远离进气口的一侧，第一电极组件的不同区域相独立，能够接入不同的电压；第二电极组件，第二电极组件设于腔体远离第一电极组件的一侧，且与第一电极组件相对。通过第一电极组件的不同区域可接入不同的电压，能够实现差异化的电压控制，在一些蚀刻过程中，通过上述等离子体蚀刻装置能够达到改善蚀刻均一性的效果。

技术领域

本实用新型涉及等离子体蚀刻领域，尤其涉及一种等离子体蚀刻装置。

背景技术

在目前发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)、半导体等中的等离子体干法蚀刻制造技术领域中，干法蚀刻蚀刻机台通过进气口将制程气体通入干法蚀刻腔室，通过电极的偏压使得离子轰击达到物理性蚀刻的效果，同时，还通过排气口向外排气以提供真空环境并维持蚀刻腔室中的稳定压力。

然而，在等离子体干法蚀刻机中进行蚀刻时，不同区域的蚀刻速率很容易存在差异，导致蚀刻的均一性不好，从而影响蚀刻的品质。

因此，如何保证离子体干法蚀刻过程中的蚀刻均一性是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供等离子体蚀刻装置，旨在解决离子体干法蚀刻过程中蚀刻的均一性不好的问题。

一种等离子体蚀刻装置，包括：

腔体；

进气口，所述进气口设于所述腔体的一侧，用于供目标气体通入所述腔体；

排气口，所述排气口设于所述腔体远离所述进气口的一侧，用于排气；

第一电极组件，所述第一电极组件设于所述腔体远离所述进气口的一侧，所述第一电极组件的不同区域相独立，能够接入不同的电压；

第二电极组件，所述第二电极组件设于所述腔体远离所述第一电极组件的一侧，且与所述第一电极组件相对。

上述等离子体蚀刻装置结构简单，通过第一电极组件的不同区域可接入不同的电压，能够实现差异化的电压控制，从而可以实现差异化的离子物理轰击能量控制，在偏压较高的区域，离子物理轰击能量相对较高，对于离子浓度较低的区域，可以通过提高对应区域的偏压提升其蚀刻的速率，相应的，在偏压较低的区域，离子物理轰击能量相对较低，可以通过降低对应区域的偏压减缓对应区域的蚀刻速率，因此，在一些蚀刻过程中，通过上述等离子体蚀刻装置能够达到改善蚀刻均一性的效果。

可选地，所述第一电极组件包括：

电极底板，所述电极底板绝缘；

至少两个电极片，所述电极片设置于所述电极底板之中，各所述电极片对应不同区域，各所述电极片相互独立。

通过在电极底板中设置不止一个相互独立的电极片的方式，在一些蚀刻过程中能够简单且低成本的实现电压的分区域控制。

可选的，所述等离子体蚀刻装置还包括电源装置，所述电源装置包括至少两个直流供电单元，每个所述直流供电单元相互独立且能够提供不同的电压，每个所述直流供电单元分别与不同的所述电极片相连接，向对应的电极片供电。

通过具有至少两个相互独立的直流供电单元的电源装置为电极片供电，在一些蚀刻过程中能够使得第一电极组件的不同区域形成差异化的电压控制。

可选地，还包括托盘，所述托盘设置于所述第一电极组件远离所述腔体的内壁的一侧，所述托盘用于承载待蚀刻物体。

上述等离子体蚀刻装置通过将托盘与第一电极组件设置于腔体的同一侧，一些蚀刻过程中能够更精准的对于托盘上的待蚀刻物体的蚀刻速率进行调整。