[实用新型]一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片

权利要求书

1.一种基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述芯片包括：

一硅基衬底；

一设置在所述硅基衬底上的二氧化硅缓冲层；

一设置在所述二氧化硅缓冲层上的基于硅波导的芯层，其包括：从左到右依次相连的一输入直波导、一第一亚波长光栅结构和一正弦函数弯曲波导，以及从左到右依次相连的一第二亚波长光栅结构和一输出直波导，其中，所述第二亚波长光栅结构与所述第一亚波长光栅结构平行设置并与该第一亚波长光栅结构的输入端对齐；以及

一设置在所述二氧化硅缓冲层上并包覆在所述芯层外的二氧化硅包层。

2.根据权利要求1所述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述输入直波导的长度为2～4μm，宽度为0.45～0.5μm。

3.根据权利要求1所述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述第一亚波长光栅结构和第二亚波长光栅结构的长度均为5～7μm，宽度均为0.45～0.5μm；

所述第一亚波长光栅结构的周期为0.3～0.4μm，占空比为0.5～0.7，该第一亚波长光栅结构的光栅数量为15～17；

所述第二亚波长光栅结构的周期为0.4～0.5μm，占空比为0.5～0.8，该第二亚波长光栅结构的光栅数量为12～14；

相互平行的所述第一亚波长光栅结构和第二亚波长光栅结构之间的间距为0.25～0.35μm。

4.根据权利要求1所述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述正弦函数弯曲波导的长度为5～12μm，宽度为0.45～0.5μm，横向偏移长度为3～5μm，弯曲半径为7～10μm。

5.根据权利要求1所述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述输出直波导的长度为5～10μm，宽度为0.45～0.5μm。

6.根据权利要求1所述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述二氧化硅缓冲层的厚度为2μm。

7.根据权利要求1所述的基于亚波长光栅的硅基偏振分束芯片，其特征在于，所述二氧化硅包层的厚度为2μm。