[实用新型]一种分子束外延生产设备中的多尺寸衬底托板有效

专利信息
申请号: 202121011927.7 申请日: 2021-05-12
公开(公告)号: CN215289037U 公开(公告)日: 2021-12-24
发明(设计)人: 郭帅;杜全钢;冯巍;谢小刚 申请(专利权)人: 新磊半导体科技(苏州)股份有限公司
主分类号: C30B23/02 分类号: C30B23/02;C30B25/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215151 江苏省苏州市高新区*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 分子 外延 生产 设备 中的 尺寸 衬底
【权利要求书】:

1.一种分子束外延生产设备中的多尺寸衬底托板,其特征在于,所述衬底托板包括托板主体和尺寸转换板,所述托板主体用于承载4吋衬底片,并且所述托板主体还用于承载所述尺寸转换板,所述尺寸转换板包括转换板主体、3吋转换件以及2吋转换件,所述转换板主体用于承载四分之一4吋扇形衬底片,并且所述转换板主体还用于承载所述3吋转换件和所述2吋转换件;

所述托板主体上形成有由圆环形台阶环绕的圆形通孔,所述圆环形台阶包括用于承载热辐射阻挡环的外圆环形台阶以及用于承载4吋衬底片的内圆环形台阶,所述内圆环形台阶的上表面低于所述外圆环形台阶的上表面;

所述转换板主体的外周形状及尺寸与所述圆环形台阶和所述圆形通孔的形状及尺寸匹配,所述外圆环形台阶用于接触并支撑所述转换板主体,所述转换板主体的内部形成有由扇环形台阶环绕的扇形通孔,所述扇环形台阶包括用于承载热辐射阻挡环的外扇环形台阶以及用于承载四分之一4吋扇形衬底片的内扇环形台阶,所述内扇环形台阶的上表面低于所述外扇环形台阶的上表面;

所述3吋转换件以及所述2吋转换件均为四分之一圆环形,所述四分之一圆环形包括外弧形边界、内弧形边界以及两个切边,所述内弧形边界上形成有上弧形台阶和下弧形台阶,所述上弧形台阶用于与所述外扇环形台阶匹配,所述下弧形台阶用于与所述内扇环形台阶匹配,所述3吋转换件的外弧形边界以及两个切边的形状及尺寸与所述扇环形台阶的形状及尺寸匹配,使得在将所述3吋转换件放置在所述转换板主体上时,所述转换板主体的内扇环形台阶的漏出部分与所述3吋转换件的内弧形边界的下弧形台阶共同用于承载四分之一3吋扇形衬底片,所述2吋转换件的外弧形边界以及两个切边的形状及尺寸与所述3吋转换件的内弧形边界以及所述扇环形台阶的形状及尺寸匹配,使得在将所述3吋转换件和所述2吋转换件同时放置在所述转换板主体上时,所述转换板主体的内扇环形台阶的漏出部分与所述2吋转换件的内弧形边界的下弧形台阶共同用于承载四分之一2吋扇形衬底片。

2.根据权利要求1所述的分子束外延生产设备中的多尺寸衬底托板,其特征在于,所述转换板主体、所述3吋转换件以及所述2吋转换件的整体厚度均相同。

3.根据权利要求1所述的分子束外延生产设备中的多尺寸衬底托板,其特征在于,所述转换板主体的外周上形成有用于与所述外圆环形台阶接触以支撑所述转换板主体的第一倒置台阶,所述3吋转换件的外弧形边界和两个切边上形成有用于与所述外扇环形台阶接触以支撑所述3吋转换件的第二倒置台阶,所述2吋转换件的外弧形边界和两个切边上形成有用于与所述3吋转换件的内弧形边界的上弧形台阶以及所述外扇环形台阶接触以支撑所述2吋转换件的第三倒置台阶。

4.根据权利要求3所述的分子束外延生产设备中的多尺寸衬底托板,其特征在于,所述第一倒置台阶包括仅一个圆环形倒置台阶,所述圆环形倒置台阶的内环直径小于所述内圆环形台阶的直径。

5.根据权利要求3所述的分子束外延生产设备中的多尺寸衬底托板,其特征在于,在将所述3吋转换件放置在所述转换板主体上时,所述3吋转换件的上弧形台阶的弧形的两端均延伸至所述内扇环形台阶上。

6.根据权利要求5所述的分子束外延生产设备中的多尺寸衬底托板,其特征在于,在将所述3吋转换件和所述2吋转换件同时放置在所述转换板主体上时,所述2吋转换件的上弧形台阶的弧形的两端均延伸至所述内扇环形台阶上。

7.根据权利要求1所述的分子束外延生产设备中的多尺寸衬底托板,其特征在于,所述内扇环形台阶的扇环形顶点与所述转换板主体的中心的距离为第一距离,所述第一距离的范围为1cm至1.5cm,所述转换板主体的中心位于所述扇形通孔内部。

8.根据权利要求7所述的分子束外延生产设备中的多尺寸衬底托板,其特征在于,所述内扇环形台阶的两个直边距所述转换板主体的中心的距离相等。

9.根据权利要求8所述的分子束外延生产设备中的多尺寸衬底托板,其特征在于,所述第一距离为1.25cm。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的分子束外延生产设备中的多尺寸衬底托板,其特征在于,所述上弧形台阶的宽度与所述外扇环形台阶的宽度相同,所述下弧形台阶的宽度与所述内扇环形台阶的宽度相同。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于新磊半导体科技(苏州)股份有限公司,未经新磊半导体科技(苏州)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121011927.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top