[实用新型]一种80对棒多晶硅还原炉底盘

说明书

本实用新型涉及改良西门子法生产多晶硅设备领域，具体为一种80对棒多晶硅还原炉底盘。该底盘上的底盘法兰1与底盘面板2焊接成一个圆形的刚性构件；在底盘面板2上分别开设有电极孔4、进料喷嘴5、中心尾气孔3和外圈尾气孔6；中线尾气孔3位于刚性构件正中心，所述电极孔4分5环分布在底盘面板2上面，各环电极孔的相互关系呈同心圆，所述进料喷嘴5按环形分布在个电极孔环的中间，共6环46个。本实用新型对还原反应过程中产生的各种热量进行整合，充分利用硅棒间的热辐射，在有效提高还原炉单炉产能的前提下，降低电耗，提升品质，提供一种稳定的大型多晶硅还原炉，从而大幅降低多晶硅生产成本。

技术领域

本实用新型涉及改良西门子法生产多晶硅设备领域，具体为一种80对棒多晶硅还原炉底盘。

背景技术

改良西门子法生产多晶硅是国内、国际上生产多晶硅的主流成熟工艺，该工艺以高纯三氯氢硅为原料，在1100℃左右的高纯硅芯上利用高纯氢气将其还原，硅芯在高温发热情况下进行生长单质硅，得到多晶硅棒状产品，其中还原炉是该工艺的核心设备。

目前应用最为成熟的是40对棒还原炉，以及少部分48对棒还原炉。行业出现72对棒还原炉但其产品不能满足单晶致密料的要求，产量与电耗都较高，且达产周期非常长，完全不具备40对棒炉型的数据优势。但是现有技术中的40对棒的产量也相对较低，电耗也相对高一些；而72对棒运行数据极不稳定，产品质量较差，还原热场很难控制。

因此，为解决上述问题，有必要开发一种大型的，高产节能的还原炉，合理的进行底盘布置，充分利用热辐射，进一步降低还原炉运行电耗，提升国内多晶硅行业竞争力。

发明内容

本实用新型的发明目的在于，针对现有技术缺陷，提供一种80对棒多晶硅还原炉底盘，以解决现有72对棒产品质量差，电耗高，以及现有40对棒还原炉产量低等问题。

为了实现以上发明目的，本实用新型的具体技术方案为：

一种80对棒多晶硅还原炉底盘，包括底盘面板和与其焊接的底盘法兰，其中，底盘法兰与底盘面板组焊接成一个圆形的刚性构件；在底盘面板上分别开设有电极孔、进料喷嘴、中心尾气孔和外圈尾气孔。

作为本申请中一种较好的实施方式，沿底盘面板中心向外依次设置有6环电极孔，从内向外，各环电极孔数量分别为8、16、24、32、40、40，各环电极孔相互关系呈同心圆结构，最外圈电极数量与第五圈相同；进行几何删减。与尾气孔形成对应关系，底盘上的电极孔总数为160个。

作为本申请中一种较好的实施方式，在底盘面板的中心位置设有一个中心尾气孔，同时在底盘面板最外圈设有8个外圈尾气孔。

作为本申请中一种较好的实施方式，底盘面板从内向外，设置6圈进料喷嘴，从内向外数，其数量分别为1、5、10、10、10、10，合计46个进料喷嘴。进料喷嘴的大小为DN8～DN15。

作为本申请中一种较好的实施方式，各环的电极孔之间均采用同圈的相邻两个电极孔搭接。

作为本申请中一种较好的实施方式，相邻电极孔的距离为240-300mm。

作为本申请中一种较好的实施方式，最外圈电极孔中心距离还原炉的炉筒内壁距离为250～350mm。

作为本申请中一种较好的实施方式，最外圈尾气孔的大小为DN100～DN150，同样采用水冷夹套结构。

前述本发明主方案及其各进一步选择方案可以自由组合以形成多个方案，均为本发明可采用并要求保护的方案；且本发明，(各非冲突选择)选择之间以及和其他选择之间也可以自由组合。本领域技术人员在了解本发明方案后根据现有技术和公知常识可明了有多种组合，均为本发明所要保护的技术方案，在此不做穷举。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：