[实用新型]一种多层非互易性传输结构及采用其的分束器有效
| 申请号： | 202121047071.9 | 申请日： | 2021-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN214623233U | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吕一航;余观夏 | 申请（专利权）人： | 南京林业大学 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 南京思拓知识产权代理事务所(普通合伙) 32288 | 代理人： | 苗建 |
| 地址： | 210037 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 非互易性 传输 结构 采用 分束器 | ||
【权利要求书】：
1.一种多层非互易性传输结构，其特征在于它包括有七个层叠的介质，介质分为三组，向后的一组为CB’A三层介质层，中间一组为缺陷层，向前的一组为CBA三层介质层，其中C层为耗散材料，A层为增益材料，B层与B’层为磁光材料层。
2.根据权利要求1所述的一种多层非互易性传输结构，其特征在于，所述的C层为SiO2材料。
3.根据权利要求1所述的一种多层非互易性传输结构，其特征在于，所述的A层为SiO2材料。
4.根据权利要求1所述的一种多层非互易性传输结构，其特征在于，所述的B层和B’层的磁导率为1。
5.根据权利要求1所述一种多层非互易性传输结构，其特征在于，所述的B层的相对介电常数为张量形式，即：
6.根据权利要求1所述一种多层非互易性传输结构，其特征在于，所述的B层与B’层的外加磁场方向完全相反。
7.根据权利要求1所述的一种多层非互易性传输结构，其特征在于，所述的缺陷层为Mo材料。
8.根据权利要求1所述的一种多层非互易性传输结构，其特征在于，所述的A层厚度580nm，C层厚度580nm，B层厚度600nm，缺陷层厚度200nm。
9.一种分束器，其特征在于，它是包含如权利要求1-8中任意一项所述的多层非互易性传输结构的分束器。
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