[实用新型]一种基于超透镜同轴封装的发光二极管有效
申请号: | 202121061215.6 | 申请日: | 2021-05-17 |
公开(公告)号: | CN217983382U | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 郝成龙;谭凤泽;朱健 | 申请(专利权)人: | 深圳迈塔兰斯科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/52 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 王仲凯 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区新安街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 透镜 同轴 封装 发光二极管 | ||
1.一种基于超透镜同轴封装的发光二极管,其特征在于,包括:
底座;
发光二极管芯片,设置于所述底座上;
管帽,罩设于所述发光二极管芯片上,并与所述底座相连,所述管帽上设置有与所述发光二极管芯片相对的安装部;
超透镜,设置于所述安装部上,其包括基板和阵列式设置于所述基板表面的超表面结构,所述超表面结构位于靠近所述发光二极管芯片的一侧;
所述底座、所述管帽以及所述超透镜同轴封装到一起,形成一可用于容纳所述发光二极管芯片的空腔。
2.根据权利要求1所述的基于超透镜同轴封装的发光二极管,其特征在于,所述超表面结构包括若干超表面单元和设置于每个所述超表面单元中心位置的纳米结构。
3.根据权利要求2所述的基于超透镜同轴封装的发光二极管,其特征在于,所述超表面单元为正四边形或者正六边形,所述纳米结构为纳米柱结构,所述纳米柱结构包括圆形纳米柱结构、圆孔纳米柱结构、中空纳米柱结构、环孔纳米柱结构或拓扑纳米柱结构中的任意一种或多种。
4.根据权利要求1所述的基于超透镜同轴封装的发光二极管,其特征在于,所述安装部包括安装孔或卡接或夹持结构。
5.根据权利要求2所述的基于超透镜同轴封装的发光二极管,其特征在于,所述基板的材料为玻璃、熔融石英或其他可见光近红外光透光材料,所述纳米结构的材质为非晶硅、单晶硅、石英、蓝宝石、氮化硅、氮化镓、氧化钛中的任意一种。
6.根据权利要求1-5任一项所述的基于超透镜同轴封装的发光二极管,其特征在于,所述超透镜与所述超表面结构相同的一侧和/或与所述超表面结构不同的一侧镀有相应工作波段的增透膜,所述工作波段波长范围为400-700纳米的可见光或1260-1360纳米的第一近红外光或1530-1590纳米的第二近红外光。
7.根据权利要求1-5任一项所述的基于超透镜同轴封装的发光二极管,其特征在于,所述超透镜具有正透镜相位分布。
8.根据权利要求1-5任一项所述的基于超透镜同轴封装的发光二极管,其特征在于,所述超透镜为圆形,所述超透镜的直径为1-10毫米。
9.根据权利要求1-5任一项所述的基于超透镜同轴封装的发光二极管,其特征在于,所述超透镜的焦距大于或等于所述超透镜与所述发光二极管芯片的发光面之间的距离,所述超透镜的焦距为1-15毫米。
10.根据权利要求9所述的基于超透镜同轴封装的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管芯片的工作波段波长范围为400-700纳米的可见光或1260-1360纳米的第一近红外光或1530-1590纳米的第二近红外光。
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