[实用新型]带使能控制的放大器偏置电路

说明书

本实用新型公开了一种带使能控制的放大器偏置电路，包括使能信号输入电路、参考电压输入端、晶体管HBT3、晶体管HBT4、晶体管HBT5、晶体管HBT6，所述使能信号输入电路连接HBT3的基极；参考电压输入端VREF经电阻R5连接至晶体管HBT3的集电极；晶体管HBT3的发射极分别连接晶体管HBT4的集电极、HBT4的基极、晶体管HBT6的基极；晶体管HBT4的发射极分别连接HBT5的集电极和基极；晶体管HBT5的发射极接地；晶体管HBT6的集电极连接参考电压输入端VREF；晶体管HBT6的发射极引出端子用于输出偏置电流以控制放大器的开闭。本实用新型的优点在于：偏置电路带有使能控制功能，可以根据是能控制来对偏执电路的工作进行控制，且偏置电流可以通过参考电压端在很大范围内可以线性调节。

技术领域

本实用新型涉及放大器驱动控制领域，特别涉及一种带使能控制的放大器偏置电路。

背景技术

砷化镓(GaAs)是新一代宽禁带半导体材料，属III-V族化合物半导体，于1964年进入实用阶段。砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。基于GaAs材料发展起来主要有两类晶体管工艺：场效应晶体管(FET)和双极型晶体管(BJT)，前者的主要代表是MESFET和pHEMT，后者的主要代表是HBT。目前主流的GaAs工艺是pHEMT和HBT。

由于GaAs材料特点，通常HBT工艺制作出的只有NPN型的晶体管，而没有PNP型的晶体管。如图1所示，为采用FET晶体管的一种放大器电路，其可以通过fet1晶体管来拉低fet2晶体管的栅压来彻底关闭fet2的电流进入调电状态，若放大器采用的是HBT晶体管，同样采用HBT1晶体管来尝试拉低HBT2的栅压，如图2所示，其由于HBT晶体管是电流控制电流型器件，存在结电压VBE和饱和导通压降VCE|SAT，故图2中的HBT放大器则不能像FET那样通过HBT1拉低HBT2的基极电压来简单地彻底关闭HBT2的电流，而是始终存在一个较大偏置电流，因为HBT2的基极电压不能被拉低到0。因此，基于HBT放大器的偏置电路无法通过简单的拉低栅压来实现控制关断，本申请针对基于HBT工艺的HBT放大器设计一种带使能控制的放大器偏置电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种带使能控制的放大器偏置电路，该电路主要用于实现HBT放大器的驱动控制。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种带使能控制的放大器偏置电路，包括使能信号输入电路、参考电压输入端、晶体管HBT3、晶体管HBT4、晶体管HBT5、晶体管HBT6，所述使能信号输入电路连接HBT3的基极；参考电压输入端VREF经电阻R5连接至晶体管HBT3的集电极；晶体管HBT3的发射极分别连接晶体管HBT4的集电极、HBT4的基极、晶体管HBT6的基极；晶体管HBT4的发射极分别连接HBT5的集电极和基极；晶体管HBT5的发射极接地；晶体管HBT6的集电极连接参考电压输入端VREF；晶体管HBT6的发射极引出端子用于输出偏置电流以控制放大器的开闭。

所述使能输入电路包括使能输入端EN和反相器，使能信号经过使能输入端EN后送入到反相器，反相器的输出端连接晶体管HBT3的基极。

所述反相器为包括级联的两个反相器。

所述反相器包括晶体管HBT1、HBT2，使能输入端EN经过电阻R1与晶体管HBT1的基极连接；电源VCC分别通过电阻R3连接HBT1的集电极、通过电阻R4连接HBT2的集电极；HBT1的集电极连接HBT2的基极；HBT1的发射极经电阻R2接地；HBT2的发射极接地；HBT2的集电极连接HBT3的基极。

所述晶体管HBT6的基极经电阻C1接地。