[实用新型]基板处理装置有效
申请号: | 202121061660.2 | 申请日: | 2021-05-18 |
公开(公告)号: | CN215576096U | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
发明(设计)人: | 上山昇太;丸山光昭;大薗启;中岛清次 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G03F7/16 | 分类号: | G03F7/16 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
本实用新型涉及基板处理装置。提供一种能够针对基板处理装置减小占地面积的技术。对于包含处理模块的基板处理装置,该处理模块设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件,其中,基板输送模块设于处理模块的左侧。基板输送模块具有:容器载置部,其供用于收纳多个基板的容器载置;第1输送机构,其相对于容器交接基板。另外,在处理模块设有沿左右方向延伸的基板的输送路径和在该输送路径移动而相对于液处理组件输送基板的第2输送机构。另外,为了在第1输送机构和第2输送机构之间交接基板而载置基板的交接部在处理模块设于相对于输送路径的前侧且是相对于液处理组件的左侧。
技术领域
本公开涉及基板处理装置。
背景技术
进行光刻作为半导体器件的制造工序中的一个工序。对于该光刻,进行了向作为基板的半导体晶圆(以下称为晶圆)涂敷抗蚀剂来形成抗蚀剂膜,以及供给显影液来使完成曝光的抗蚀剂膜显影。例如,在专利文献1中记载了进行这样的抗蚀剂膜的形成和显影的基板处理装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2019-4072号公报
实用新型内容
实用新型要解决的问题
本公开提供一种能够针对基板处理装置减小占地面积的技术。
用于解决问题的方案
本公开的基板处理装置是包含处理模块的基板处理装置,该处理模块设有分别对基板进行液处理的多个液处理组件,其特征在于,该基板处理装置具有:基板输送模块,其相对于所述处理模块设于左右方向上的一侧,该基板输送模块具有供用于收纳多个所述基板的容器载置的容器载置部和相对于所述容器交接所述基板的第1输送机构;所述基板的输送路径,其在所述处理模块沿左右方向延伸;多个层段,其以所述液处理组件在相对于所述输送路径的前后方向上的一侧沿纵向成列的方式构成所述处理模块,并且分别包含该液处理组件;第1处理组件,其在相对于所述输送路径的前后方向上的另一侧沿纵向设有多个,在所述液处理组件的处理之前或之后进行所述基板的处理;第2输送机构,其在所述输送路径移动,而在所述液处理组件和所述第1处理组件之间输送所述基板;以及交接部,其在所述处理模块设于相对于所述输送路径的前后方向上的一侧且是相对于所述液处理组件的列的左右方向上的一侧,为了在所述第1输送机构和所述第2输送机构之间交接所述基板而载置该基板。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述第1处理组件左右排列地设有多个,位于最靠左右方向上的一侧的该第1处理组件的该左右方向上的一侧的部位和所述交接部的左右方向上的另一侧的部位在左右方向上的位置相同。
对于上述基板处理装置,也可以是,位于最靠所述左右方向上的一侧的第1处理组件的该左右方向上的一侧的部位与所述交接部的左右方向上的另一侧的部位彼此相对。
对于上述基板处理装置,也可以是,该基板处理装置具有:第2处理组件,其对所述基板进行与利用所述第1处理组件进行的处理不同的处理;以及第3输送机构,其相对于所述交接部设于前后方向上的一侧,在所述交接部和第2处理组件之间交接所述基板。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述基板输送模块设有气体供给部,该气体供给部自上方朝向利用所述第1输送机构进行的所述基板的输送的输送区域供给气体,所述第2处理组件在俯视时与所述输送区域重叠,并且设于比所述基板输送模块的所述气体供给部靠上方的位置。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述第2处理组件设于比所述液处理组件靠前后方向上的一侧的位置,形成自设置所述基板处理装置的地面浮起并向该前后方向上的一侧突出的突出部。
对于上述基板处理装置,也可以是,所述第2处理组件是用于检查利用所述液处理组件和所述第1处理组件进行处理的处理前或处理后的所述基板的检查组件。
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