[实用新型]一种凸型自增强聚焦耦合光栅耦合器有效
| 申请号： | 202121096331.1 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN214954215U | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 方青;马晓悦;胡鹤鸣;张馨丹;陈华 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | G02B6/34 | 分类号： | G02B6/34 |
| 代理公司： | 昆明人从众知识产权代理有限公司 53204 | 代理人： | 何娇 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 增强 聚焦 耦合 光栅 耦合器 | ||
【权利要求书】：
1.一种凸型自增强聚焦耦合光栅耦合器，其特征在于：所述光栅耦合器从下至上包括硅衬底(1)、埋氧层(2)、波导层(3)、上包层(4)，所述埋氧层(2)为SiO2层，所述波导层(3)为硅层阵列波导光栅，所述上包层(4)上设有SiO2层凸面。
2.根据权利要求1所述凸型自增强聚焦耦合光栅耦合器，其特征在于：所述阵列波导光栅的个数为12-15个，光栅区域高度为200-240nm，光栅区域的刻蚀深度为90-110nm，光栅占空比可为0.4～0.8之间。
3.根据权利要求1所述凸型自增强聚焦耦合光栅耦合器，其特征在于：埋氧层(2)的高度为2μm。
4.根据权利要求1所述凸型自增强聚焦耦合光栅耦合器，其特征在于：上包层(4)的高度为2μm。
5.根据权利要求1所述凸型自增强聚焦耦合光栅耦合器，其特征在于：上包层(4)上SiO2层凸面为多个。
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