[实用新型]提高破碎强度的PERC电池和太阳能电池组件有效
申请号: | 202121123001.7 | 申请日: | 2021-05-24 |
公开(公告)号: | CN214753810U | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 王鹏;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 张红伟 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 提高 破碎 强度 perc 电池 太阳能电池 组件 | ||
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种提高破碎强度的PERC电池和太阳能电池组件。提高破碎强度的PERC电池包括电池基片和设于电池基片的背面电路,电池基片形成有激光开设的连接孔,连接孔贯穿电池基片的钝化层,背面电路通过连接孔接触电池基片的硅基底,连接孔的孔径的范围为25μm‑30μm,连接孔的深度的范围为20μm‑30μm。如此,可以改善激光开孔造成的机械损伤和应力集中,有利于提高PERC电池的破碎强度。
技术领域
本申请属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种提高破碎强度的PERC电池和太阳能电池组件。
背景技术
相关技术中,PERC电池以其高效率和低成本的优势,在逐步取代常规晶体硅BSF电池。而硅片的薄片化是行业发展的大趋势。但是,薄片带来了PERC 电池破碎强度(三点弯折或四点弯曲)的下降,从而影响到组件机械载荷强度。基于此,如何提高PERC电池的破碎强度,成为了亟待解决的问题。
实用新型内容
本申请提供一种提高破碎强度的PERC电池太阳能电池组件,旨在解决如何提高PERC电池的破碎强度的问题。
第一方面,本申请提供一种提高破碎强度的PERC电池,包括电池基片和设于所述电池基片的背面电路,所述电池基片形成有激光开设的连接孔,所述连接孔贯穿所述电池基片的钝化层,所述背面电路通过所述连接孔接触所述电池基片的硅基底,所述连接孔的孔径的范围为25μm-30μm,所述连接孔的深度的范围为20μm-30μm。
可选地,所述电池基片呈正方形且边长为210mm,所述背面电路包括背面细栅,所述背面细栅的线宽的范围为120μm-130μm。
可选地,所述背面细栅的线宽为125μm。
可选地,所述背面细栅的数量范围为190-200根。
可选地,所述背面细栅的数量为198根。
可选地,相邻两根所述背面细栅的间距的范围为0.8-1.2mm。
可选地,相邻两根所述背面细栅的间距为1.0582mm。
可选地,所述背面细栅的高度的范围为25-35μm。
可选地,所述连接孔的孔径为27μm。
第二方面,本申请提供一种太阳能电池组件,包括上述任一项所述的电池。
本申请实施例的提高破碎强度的PERC电池中,由于孔径和深度在前述范围,故可以改善激光开孔造成的机械损伤和应力集中,有利于提高PERC电池的破碎强度。
附图说明
图1是本申请实施例提供的提高破碎强度的PERC电池的结构示意图;
图2是本申请实施例提供的提高破碎强度的PERC电池的结构示意图;
图3是本申请实施例提供的提高破碎强度的PERC电池的结构示意图;
图4是本申请实施例提供的提高破碎强度的PERC电池的背面细栅的结构示意图;
图5是本申请实施例提供的提高破碎强度的PERC电池的示例一和示例二的最大弯曲强度的箱线图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请,并不用于限定本申请。
现有技术中,PERC电池破碎强度较低。本申请实施例的提高破碎强度的PERC电池的制作方法,由于连接孔的孔径的范围为25μm-30μm,连接孔的深度的范围为20μm-30μm,故可以改善激光开孔造成的机械损伤和应力集中,有利于提高PERC电池的破碎强度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的