[实用新型]一种新型的高压槽栅MOS器件

权利要求书

1.一种新型的高压槽栅MOS器件，其特征在于，包括：N型重掺杂衬底(1)，N型轻掺杂缓冲区(2)，P型阱区(3)，P型多晶硅源极区(4)，N型轻掺杂区(5)，P型掺杂区(6)，N型重掺杂源极区(7)，氧化层(8)，栅极多晶硅区(9)，栅极电极(G)，源极电极(S)和漏极电极(D)；

其中所述漏极电极(D)形成在所述N型重掺杂衬底(1)的下表面，在所述N型重掺杂衬底(1)上设有所述N型轻掺杂缓冲区(2)，在所述N型轻掺杂缓冲区(2)的上表面设有两个所述P型阱区(3)、一个所述N型轻掺杂区(5)和一个槽栅结构区，所述N型轻掺杂区(5)和所述槽栅结构区设置在两个所述P型阱区(3)之间，且所述N型轻掺杂区(5)与所述槽栅结构区彼此接触，所述槽栅结构区的另一侧与彼此相邻的所述P型阱区(3)接触，所述N型轻掺杂区(5)的另一侧与彼此相邻的所述P型阱区(3)接触；

在所述与N型轻掺杂区(5)相接触的P型阱区(3)上表面上，设有所述P型多晶硅源极区(4)，在所述N型轻掺杂区(5)的上表面设有所述P型掺杂区(6)，且所述P型掺杂区(6)分别与所述槽栅结构区和与其相邻的所述P型阱区(3)接触，所述P型掺杂区(6)的上表面设有所述N型重掺杂源极区(7)；

在所述与槽栅结构区相接触的P型阱区(3)的上表面设有所述N型重掺杂源极区(7)，且所述N型重掺杂源极区(7)与所述槽栅结构区彼此接触，在所述N型重掺杂源极区(7)的另一侧彼此连接所述P型多晶硅源极区(4)；

所述槽栅结构区包括所述氧化层(8)和所述栅极多晶硅区(9)，在所述氧化层(8)上表面设有所述栅极多晶硅区(9)，在所述栅极多晶硅区(9)的上表面设有所述栅极电极(G)，在所述P型多晶硅源极区(4)和所述N型重掺杂源极区(7)的上表面设有所述源极电极(S)。

2.根据权利要求1所述的一种新型的高压槽栅MOS器件，其特征在于，所述N型轻掺杂缓冲区(2)的厚度大于所述N型重掺杂衬底(1)的厚度。

3.根据权利要求1所述的一种新型的高压槽栅MOS器件，其特征在于，所述N型轻掺杂缓冲区(2)的厚度大于所述P型阱区(3)的厚度。

4.根据权利要求1所述的一种新型的高压槽栅MOS器件，其特征在于，所述栅极电极(G)、源极电极(S)和漏极电极(D)的材料为铜材料或者铝材料。

5.根据权利要求1所述的一种新型的高压槽栅MOS器件，其特征在于，所述P型掺杂区(6)的厚度小于所述N型轻掺杂区(5)的厚度。

6.根据权利要求1所述的一种新型的高压槽栅MOS器件，其特征在于，所述两个P型阱区(3)的宽度相等。

7.根据权利要求1所述的一种新型的高压槽栅MOS器件，其特征在于，半导体衬底材料为半导体SiC基材料。