[实用新型]一种超强双极永磁体

说明书

本申请涉及永磁体技术领域，尤其涉及一种超强双极永磁体，其包括底面轭铁，所述底面轭铁两端分别固定设置有第一侧面轭铁和第二侧面轭铁，所述第一侧面轭铁靠近第二侧面轭铁的侧壁上固定设置有N面磁铁，所述第二侧面轭铁靠近第一侧面轭铁的侧壁上固定设置有S面磁铁，所述N面磁铁和所述S面磁铁的端面正对设置。本申请的超强双极永磁体使用方便，且可提供大小均一、稳定的磁场，具有使半导体材料参数的测试更加方便的效果。

技术领域

本申请涉永磁体的技术领域，尤其是涉及一种超强双极永磁体。

背景技术

霍尔效应是电磁效应的一种，当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一个附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。

半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等是了解半导体材料电学特性的重要参数。在测量时，往往需要借助霍尔效应原理进行测量，因此需要对待测半导体材料施加一个垂直于电流方向的外部均匀磁场。

目前，大多数提供外部均匀磁场的设备较为笨重或复杂，设备重量可达几吨重，使用起来十分不便，从而不便于测试半导体材料的电阻率、霍尔系数等重要参数。

实用新型内容

为了使半导体材料参数的测试更加方便，本申请提供一种超强双极永磁体。

本申请提供的一种超强双极永磁体，采用如下的技术方案：

一种超强双极永磁体，包括底面轭铁，所述底面轭铁两端分别固定设置有第一侧面轭铁和第二侧面轭铁，所述第一侧面轭铁靠近第二侧面轭铁的侧壁上固定设置有N面磁铁，所述第二侧面轭铁靠近第一侧面轭铁的侧壁上固定设置有S面磁铁，所述N面磁铁和所述S面磁铁的端面平行且正对设置。

通过采用上述技术方案，N面磁铁和S面磁铁相对的两端面之间产生大小均匀且稳定的磁场，为半导体材料测试提供均一稳定的外部磁场，使半导体材料性能参数的测试更加方便。

优选的，所述第一侧面轭铁开设有供N面磁铁插入的第一安装槽，所述第二侧面轭铁开设有供S面磁铁插入的第二安装槽。

通过采用上述技术方案，通过N面磁铁和第一安装槽之间的卡接配合、S面磁铁和第二安装槽之间的卡接配合，使超强双极永磁体的安装更加方便，便于将N面磁铁和S面磁铁的端面对齐，同时，是N面磁铁和S面磁铁的固定更加牢固，减少了N面磁铁和S面磁铁相互吸引而脱离侧面轭铁的情况发生。

优选的，所述第一安装槽和第二安装槽的侧壁顶部均设置有导槽，所述N面磁铁和S面磁铁的插入端均设置有倒角。

通过采用上述技术方案，通过倒角与导槽之间的配合，使N面磁铁和S面磁铁更便于安装，提高了超强双极永磁体的生产安装效率。

优选的，所述N面磁铁靠近S面磁铁的一端和所述S面磁铁靠近N面磁铁的一端均设置为圆台状。

通过采用上述技术方案，不仅便于区分N面磁铁和S面磁铁的磁极，减少安装时将磁铁装反的情况发生，同时，减少了磁铁端面的面积，提高了磁感线的密度，提高了N面磁铁和S面磁铁之间磁场的强度。

优选的，所述N面磁铁位于第一安装槽内的端侧壁固定设置有第一卡接块，所述第一安装槽内侧壁开设有供第一卡接块卡入的第一卡接槽；所述S面磁铁位于第二安装槽内的端侧壁固定设置有第二卡接块，所述第二安装槽内侧壁开设有供第二卡接块卡入的第二卡接槽。

通过采用上述技术方案，通过第一卡接块与第一卡接槽的配合、第二卡接块与第二卡接槽的配合，使N面磁铁和S面磁铁的固定更加牢固，进一步减少了N面磁铁和S面磁铁因相互吸引而从侧面轭铁脱落的情况发生，使超强双极永磁体的使用更加安全。