[实用新型]一种基于32千兆电网管嵌入式工业以太网交换机模块

说明书

本实用新型提供了一种基于32千兆电网管嵌入式工业以太网交换机模块，包括芯片CTC7132、存储模块、PHY芯片，MCU、RTC、COMe连接器，芯片CTC7132分别与存储模块、PHY芯片、MCU、RTC、COMe连接器相连，MCU与RTC相连，PHY芯片与COMe连接器相连，PHY芯片包括第一PHY芯片、第二PHY芯片、第三PHY芯片、第四PHY芯片，第一PHY芯片、第二PHY芯片、第三PHY芯片、第四PHY芯片上分别设有8个千兆电口。本实用新型的有益效果是：本实用新型的一种基于32千兆电网管嵌入式工业以太网交换机模块具有集成度高、体积小巧、功能丰富、简单方便等特点。

技术领域

本实用新型涉及以电子技术领域，尤其涉及一种基于32千兆电网管嵌入式工业以太网交换机模块。

背景技术

现在市面上最多的是16电口模块，该模块不带PHY芯片，需要客户在低板加PHY芯片，不仅加大了客户的二次开发难度，而且端口数目比较少，能开发的产品形态比较少。而现有的核心模块端口数比较少，网管功能不强，能应用的场景有限。

实用新型内容

本实用新型提供了一种基于32千兆电网管嵌入式工业以太网交换机模块，包括芯片CTC7132、存储模块、PHY芯片，MCU、RTC、COMe连接器，所述芯片CTC7132分别与所述存储模块、所述PHY芯片、所述MCU、所述 RTC、所述COMe连接器相连，所述MCU与所述RTC、所述COMe连接器相连，所述PHY芯片与所述COMe连接器相连，所述PHY芯片包括第一PHY芯片、第二PHY芯片、第三PHY芯片、第四PHY芯片，所述第一PHY芯片、所述第二PHY芯片、所述第三PHY芯片、所述第四PHY芯片上分别设有8个千兆电口。

作为本实用新型的进一步改进，所述存储模块包括EMMC芯片、SPI FLASH芯片、DDR3，所述芯片CTC7132上设有SDRAMDDR4接口、QSPI接口、 NAND接口，所述SDRAMDDR4接口与所述DDR3相连，所述QSPI接口与所述 SPI FLASH芯片相连，所述NAND接口与所述EMMC芯片相连；所述芯片 CTC7132上设有QSGMII接口，所述QSGMII接口分别与所述第一PHY芯片、所述第二PHY芯片、所述第三PHY芯片、所述第四PHY芯片相连。

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片CTC7132上设有第一SMI_A 接口、第二SMI_A接口，所述第一SMI_A接口分别与所述第一PHY芯片、所述第二PHY芯片相连，所述第二SMI_A接口分别与所述第三PHY芯片、所述第四PHY芯片相连。

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片CTC7132上设有GPIO接口、 SMI_SOC接口、URAT0接口，所述GPIO接口、所述SMI_SOC接口、所述URAT0 接口分别与所述COMe连接器相连。

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片CTC7132上设有IIC_SOC接口，所述IIC_SOC接口分别与所述MCU、所述RTC、所述COMe连接器相连。

作为本实用新型的进一步改进，所述EMMC芯片容量为8GB，所述DDR3 单片容量为2GB。

作为本实用新型的进一步改进，所述MCU能扩展GPIO口，芯片CTC7132 通过IIC总线能控制所述MCU扩展的GPIO口。

作为本实用新型的进一步改进，所述芯片CTC7132上设有带外口，所述带外口为SGMII接口，所述SGMII接口用于软件调式时与外部进行连接；所述PHY芯片的型号为88E1680。

作为本实用新型的进一步改进，该基于32千兆电网管嵌入式工业以太网交换机模块还包括铜管和铝块，该基于32千兆电网管嵌入式工业以太网交换机模块通过所述铜管和所述铝块散热。

作为本实用新型的进一步改进，该基于32千兆电网管嵌入式工业以太网交换机模块采用嵌入式安装方式。