[实用新型]宽量程电离室区域γ辐射探测器用静电计电路

权利要求书

1.宽量程电离室区域γ辐射探测器用静电计电路，所述宽量程电离室区域γ辐射探测器包括外壳(1)、端盖(2)和设置在端盖(2)外的信号接口(3)，所述外壳(1)内依次设置有低量程电离室探测器、高量程电离室探测器、铅屏蔽体(7)和信号处理电路板(5)，低量程电离室探测器的信号线、高量程电离室信号线(25)、以及低量程电离室探测器和所述高量程电离室探测器的电源线均穿过铅屏蔽体(7)与信号处理电路板(5)连接，所述信号处理电路板(5)上集成有静电计电路，其特征在于：所述静电计电路包括依次连通的选通电路(40)和放大电路(41)，选通电路(40)的输入端接有低量程调零电路(35)、第一低量程信号采集电路(36)、第二低量程信号采集电路(37)、第一高量程信号采集电路(38)和第二高量程信号采集电路(39)。

2.按照权利要求1所述的宽量程电离室区域γ辐射探测器用静电计电路，其特征在于：所述信号处理电路板(5)上还集成有V/F转换电路(42)，放大电路(41)的输出端与V/F转换电路(42)的输入端连接，V/F转换电路(42)的输出端与就地处理箱(32)连接。

3.按照权利要求2所述的宽量程电离室区域γ辐射探测器用静电计电路，其特征在于：所述选通电路(40)包括单刀双掷继电器J3，单刀双掷继电器J3由就地处理箱(32)控制。

4.按照权利要求3所述的宽量程电离室区域γ辐射探测器用静电计电路，其特征在于：所述放大电路(41)包括运算放大器OP07，所述运算放大器OP07的同相输入端通过电阻1R13与单刀双掷继电器J3的动触头连接，所述运算放大器OP07的输出端分两路，一路为放大电路(41)的输出端，另一路与运算放大器OP07的反相输入端连接。

5.按照权利要求3所述的宽量程电离室区域γ辐射探测器用静电计电路，其特征在于：所述低量程调零电路(35)包括单刀单掷继电器J0、P沟道MOS场效应管1V1、P沟道MOS场效应管1V2和运算放大器F441，单刀单掷继电器J0的一个触头和P沟道MOS场效应管1V1的栅极均与低量程电离室探测器的输出端连接，单刀单掷继电器J0的另一个触头与单刀双掷继电器J3的一个静触头连接，P沟道MOS场效应管1V1的源极和P沟道MOS场效应管1V2的源极连接，P沟道MOS场效应管1V2的栅极接地，P沟道MOS场效应管1V1的漏极通过电阻1R5与运算放大器F441的同相输入端连接，P沟道MOS场效应管1V2的漏极通过电阻1R6与运算放大器F441的反相输入端连接，运算放大器F441的输出端分两路，一路通过电容1C1与运算放大器F441的反相输入端连接，一路与单刀双掷继电器J3的一个静触头连接，单刀单掷继电器J0由就地处理箱(32)控制。

6.按照权利要求3所述的宽量程电离室区域γ辐射探测器用静电计电路，其特征在于：所述第一低量程信号采集电路(36)包括电阻1R14，电阻1R14的一端与低量程电离室探测器的输出端连接，电阻1R14的另一端与单刀双掷继电器J3的一个静触头连接。

7.按照权利要求6所述的宽量程电离室区域γ辐射探测器用静电计电路，其特征在于：所述第二低量程信号采集电路(37)包括电阻1R15，电阻1R15的一端与低量程电离室探测器的输出端连接，电阻1R15的另一端与单刀双掷继电器J3的一个静触头连接，电阻1R15的阻值小于电阻1R14的阻值，电阻1R15与单刀双掷继电器J3的一个静触头之间或电阻1R14与单刀双掷继电器J3的一个静触头之间设置有单刀单掷继电器J1，单刀单掷继电器J1由就地处理箱(32)控制。

8.按照权利要求3所述的宽量程电离室区域γ辐射探测器用静电计电路，其特征在于：所述第一高量程信号采集电路(38)包括电阻1R16，电阻1R16的一端与高量程电离室探测器的输出端连接，电阻1R16的另一端与单刀双掷继电器J3的另一个静触头连接。

9.按照权利要求8所述的宽量程电离室区域γ辐射探测器用静电计电路，其特征在于：所述第二高量程信号采集电路(39)包括电阻1R17，电阻1R17的一端与高量程电离室探测器的输出端连接，电阻1R17的另一端与单刀双掷继电器J3的另一个静触头连接，电阻1R17的阻值小于电阻1R16的阻值，电阻1R17与单刀双掷继电器J3的另一个静触头之间或电阻1R16与单刀双掷继电器J3的另一个静触头之间设置有单刀单掷继电器J2，单刀单掷继电器J2由就地处理箱(32)控制。