[实用新型]一种高效背接触式太阳能电池有效
| 申请号： | 202121150112.7 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN215834539U | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 邵家骏;陈刚 | 申请（专利权）人： | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰;何键云 |
| 地址： | 322009 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高效 接触 太阳能电池 | ||
1.一种高效背接触式太阳能电池，其特征在于，包括p型晶体硅基体，所述p型晶体硅基体的前表面从内到外依次设有前表面掺杂区、前表面钝化层和减反层，所述前表面掺杂区包括交替设置的n+掺杂区和非掺杂区；
所述p型晶体硅基体的背表面从内到外依次设有隧穿氧化层、背表面掺杂层、背表面钝化层和金属电极，所述背表面掺杂层包括交替设置的n+掺杂层和p+掺杂层。
2.如权利要求1所述的高效背接触式太阳能电池，其特征在于，所述n+掺杂区的方阻为100～200Ω/sqr。
3.如权利要求1或2所述的高效背接触式太阳能电池，其特征在于，所述n+掺杂区的宽度为200～1000μm。
4.如权利要求3所述的高效背接触式太阳能电池，其特征在于，所述n+掺杂区的宽度为400～800μm。
5.如权利要求3所述的高效背接触式太阳能电池，其特征在于，所述n+掺杂区的面积：前表面掺杂区的面积＝(3～6):10。
6.如权利要求1所述的高效背接触式太阳能电池，其特征在于，所述p+掺杂层上设有p+钝化层，所述背表面钝化层覆盖在n+掺杂层和p+钝化层上，所述p+钝化层由AlOx制成。
7.如权利要求6所述的高效背接触式太阳能电池，其特征在于，所述p+钝化层的厚度为2～20nm。
8.如权利要求1所述的高效背接触式太阳能电池，其特征在于，所述n+掺杂层的方阻为50～200Ω/sqr，所述p+掺杂层的方阻为50～200Ω/sqr。
9.如权利要求1所述的高效背接触式太阳能电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1～5nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
