[实用新型]石墨盘和反应腔室

说明书

本实用新型提供了一种石墨盘和反应腔室，涉及化学气相沉积技术领域。该石墨盘包括：第一部件，其中，第一部件具有第一凹槽，第一凹槽位于石墨盘的边缘，用于承载第二部件，第二部件用于与第一部件的上表面围成容纳衬底的空间，第二部件的导热系数小于石墨的导热系数，用于减少石墨盘对衬底的边缘的热传导。本实用新型实施例提供的石墨盘，通过在第一部件的凹槽中设置导热系数较小的第二部件以形成容纳衬底的空间，减少了石墨盘对衬底的边缘的热传导，进而降低了衬底的边缘的温度，提高了衬底的温度分布的均匀性，从而提高了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底上生长的外延层的均匀性，进而提高了外延芯片的良率。

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积技术领域，具体涉及一种石墨盘和反应腔室。

背景技术

化学气相外延沉积工艺(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)广泛用于半导体行业。在化学气相外延沉积工艺中，以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和Ⅴ族、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延生长获得所需薄膜，例如，可以生长各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

现有的化学气相沉积工艺的均匀性不高，衬底上各点受热不均匀，导致衬底上各点的温度分布不均匀，进而影响衬底上生长的外延层的均匀性，导致外延芯片的良率偏低。因此，如何提高化学气相沉积工艺的均匀性，进而提高外延芯片的良率成为了亟待解决的问题。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种石墨盘和反应腔室。

第一方面，本实用新型一实施例提供一种石墨盘，包括：第一部件，其中，第一部件具有第一凹槽，第一凹槽位于石墨盘的边缘，用于承载第二部件，第二部件用于与第一部件的上表面围成容纳衬底的空间，第二部件的导热系数小于石墨的导热系数，用于减少石墨盘对衬底的边缘的热传导。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，该石墨盘还包括：第二部件，位于第一凹槽的承载位置。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第二部件包括石墨内芯和包裹石墨内芯的碳化硅层。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一部件还具有第二凹槽，位于第一部件的上表面，用于减少石墨盘对衬底的热传导，第二凹槽呈球形。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一部件包括：多个第一支撑部件，位于第一部件的上表面，用于将衬底悬置。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一部件包括：与第二部件对应的多个第二支撑部件，位于第一凹槽的底面，用于将第二部件悬置。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第二部件的下表面与第一凹槽的底面形成第一空隙，第一空隙在垂直于石墨盘下表面方向上的高度被设置成用于控制衬底的边缘的温度。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一部件还具有第三凹槽，位于第一部件的下表面，用于减少石墨盘对衬底的热传导。

结合第一方面，在第一方面的某些实现方式中，第一部件包括：位于第三凹槽内的第三支撑部件，用于支撑石墨盘。

第二方面，本实用新型一实施例提供一种反应腔室，包括上述任一实施例所述的石墨盘。

本实用新型实施例提供的石墨盘，通过在第一部件的凹槽中设置导热系数较小的第二部件以形成容纳衬底的空间，减少了石墨盘对衬底的边缘的热传导，进而降低了衬底的边缘的温度，提高了衬底的温度分布的均匀性，从而提高了化学气相沉积工艺的均匀性和衬底上生长的外延层的均匀性，进而提高了外延芯片的良率。

附图说明