[实用新型]集成电路装置有效
申请号: | 202121159899.3 | 申请日: | 2021-05-27 |
公开(公告)号: | CN215869297U | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 欧宪勋;林佳德;程晓玲 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/498 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 装置 | ||
1.一种集成电路装置,其特征在于所述集成电路装置包括:
基板(101),具有相对的第一表面(121)与第二表面(122);
第一阻焊层(151),以第一图案形成于所述第一表面上;以及
第二阻焊层(152),以第二图案形成于所述第二表面上;
第三阻焊层(161),以所述第一图案层叠形成于所述第一阻焊层上;
其中所述第一阻焊层及第三阻焊层具有第一图案面积,所述第二阻焊层具有大于所述第一图案面积的第二图案面积,且所述第一阻焊层的厚度与所述第三阻焊层的厚度的总和实质上大于所述第二阻焊层的厚度。
2.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中所述第一阻焊层(151)、所述第二阻焊层(152)、所述第三阻焊层(161)采用相同的高分子感光阻焊材料。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中所述第一阻焊层(151)的厚度与所述第三阻焊层(161)的厚度的所述总和的范围为25-40μm。
4.根据权利要求3所述的集成电路装置,其中所述第二阻焊层(152)的厚度范围为15-25μm。
5.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中所述第二图案面积比所述第一图案面积大20%。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中所述第一阻焊层与第三阻焊层的体积之和与所述第二阻焊层的体积大致相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造