[实用新型]集成电路装置有效

专利信息
申请号: 202121159899.3 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN215869297U 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 欧宪勋;林佳德;程晓玲 申请(专利权)人: 日月光半导体(上海)有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/498
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 装置
【权利要求书】:

1.一种集成电路装置,其特征在于所述集成电路装置包括:

基板(101),具有相对的第一表面(121)与第二表面(122);

第一阻焊层(151),以第一图案形成于所述第一表面上;以及

第二阻焊层(152),以第二图案形成于所述第二表面上;

第三阻焊层(161),以所述第一图案层叠形成于所述第一阻焊层上;

其中所述第一阻焊层及第三阻焊层具有第一图案面积,所述第二阻焊层具有大于所述第一图案面积的第二图案面积,且所述第一阻焊层的厚度与所述第三阻焊层的厚度的总和实质上大于所述第二阻焊层的厚度。

2.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中所述第一阻焊层(151)、所述第二阻焊层(152)、所述第三阻焊层(161)采用相同的高分子感光阻焊材料。

3.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中所述第一阻焊层(151)的厚度与所述第三阻焊层(161)的厚度的所述总和的范围为25-40μm。

4.根据权利要求3所述的集成电路装置,其中所述第二阻焊层(152)的厚度范围为15-25μm。

5.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中所述第二图案面积比所述第一图案面积大20%。

6.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中所述第一阻焊层与第三阻焊层的体积之和与所述第二阻焊层的体积大致相同。

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