[实用新型]一种晶硅太阳能电池及太阳能电池组件有效

专利信息
申请号: 202121166728.3 申请日: 2021-05-27
公开(公告)号: CN214588871U 公开(公告)日: 2021-11-02
发明(设计)人: 林纲正;方结彬;陈刚 申请(专利权)人: 浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/068
代理公司: 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 代理人: 张红伟
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 组件
【说明书】:

实用新型适用晶硅太阳能电池技术领域,提供了一种晶硅太阳能电池及太阳能电池组件,该晶硅太阳能电池包括硅片、设置于硅片正面和/或反面的栅线结构;栅线结构包括主栅线、与主栅线连接且相互间隔设置的若干根细栅线,细栅线之间的间距自硅片的中心向硅片的边缘方向逐渐减小,以使细栅线的分布密度自硅片的中心向硅片的边缘方向逐渐增大。本实用新型提供的一种晶硅太阳能电池可以降低电子复合损失,增加开路电压和短路电流,提升光电转换效率,且可减少细栅线制作浆料,降低电池制造成本。

技术领域

本实用新型涉及晶硅太阳能电池技术领域,具体涉及一种晶硅太阳能电池及太阳能电池组件。

背景技术

晶硅太阳能电池通常需要设置主栅线以及与细栅线连接的若干根细栅线,细栅线的作用是收集在阳光照射下太阳能电池所产生的光电流,主栅线的作用是将细栅线所收集的光电流引导出去。主栅线和细栅线均由导电银浆经过丝网印刷和加热固化工艺形成,且主栅线和细栅线均为不透光的,即主栅线和细栅线会遮挡住入射光线而影响太阳能电池的发电量。

现有技术中,由于制作晶硅太阳能电池的硅片的中心位置区域的质量优于硅片周边区域的质量,硅片中心位置区域的缺陷少,硅片中心位置区域因硅片缺陷导致的电子复合损失少;而硅片的周边区域缺陷多,硅片周边区域因硅片缺陷导致的电子复合损失多,而现有技术的晶硅太阳能电池的细栅线是平行等距分布在硅片的中心位置区域及周边区域,没有考虑到硅片质量缺陷分布不均的特点,存在电子复合损失多,难以实现光电转换效率的最大化,光电转换效率低。

实用新型内容

本实用新型提供一种晶硅太阳能电池,旨在解决现有技术中的晶硅太阳能电池的细栅线平行等距分布,存在电子复合损失多,光电转换效率低的问题。

本实用新型是这样实现的,提供一种晶硅太阳能电池,包括硅片、设置于所述硅片正面和/或反面的栅线结构;

所述栅线结构包括主栅线、与所述主栅线连接且相互间隔设置的若干根细栅线,所述细栅线之间的间距自所述硅片的中心向所述硅片的边缘方向逐渐减小,以使所述细栅线的分布密度自所述硅片的中心向所述硅片的边缘方向逐渐增大。

优选的,所述主栅线的数量为相互间隔设置的多个,多个所述主栅线将所述硅片分为多个区域,每个所述区域内设有相互间隔分布的所述细栅线,且多个所述区域内的所述细栅线的分布密度自所述硅片的中心向所述硅片的边缘逐渐增大。

优选的,多个所述主栅线沿第一方向相互平行间隔设置,多个所述主栅线沿第一方向将所述硅片分为多个区域,每个所述区域内的所述细栅线沿与所述第一方向相垂直的第二方向相互平行间隔分布;

沿所述第一方向上,多个所述区域内的所述细栅线的分布密度自所述硅片的中心向所述硅片的两侧边缘逐渐增大。

优选的,每个所述区域内的所述细栅线的间距不相等;沿所述第二方向上,每个所述区域内的所述细栅线的间距自所述区域的中心向所述硅片的两侧边缘逐渐减小。

优选的,每个所述区域内的细栅线的间距相等。

优选的,沿所述第一方向上,所述区域包括自所述硅片的中心向所述硅片的两侧边缘依次分布的中心区域、第一区域以及第二区域,所述中心区域、所述第一区域以及所述第二区域的所述细栅线的分布密度依次增大;

沿所述第二方向上,所述中心区域、所述第一区域以及所述第二区域的细栅线的间距从各自区域的中心向所述硅片的两侧边缘逐渐减小。

优选的,所述细栅线的宽度自所述硅片的中心向所述硅片的边缘方向逐渐减小。

优选的,每个所述区域内的所述细栅线的宽度相等,且多个所述区域内的细栅线的宽度自所述硅片的中心向所述硅片的边缘逐渐减小。

优选的,所述细栅线为环形,若干根所述细栅线同时环绕所述硅片中心彼此间隔设置,相邻两个细栅线之间的间距自所述硅片的中心向四周方向逐渐减小。

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