[实用新型]一种新型MOS管散热电路有效

专利信息
申请号: 202121169440.1 申请日: 2021-05-28
公开(公告)号: CN215186500U 公开(公告)日: 2021-12-14
发明(设计)人: 杨亚峰 申请(专利权)人: 上海奉天电子股份有限公司
主分类号: H02M7/5387 分类号: H02M7/5387;H02M1/088
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地址: 201800 上海市嘉*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 新型 mos 散热 电路
【权利要求书】:

1.一种新型MOS管散热电路,包括MCU、PWM Driver和H桥逆变电路,其特征在于:所述H桥逆变电路由4颗MOS管Q1、Q2、Q3、Q4组成,所述H桥逆变电路输出端由电感L和电容C低通滤波后,产生220V交流输出电压,4颗所述MOS管Q1、Q2、Q3、Q4对应的驱动信号PWM1、PWM2、PWM3、PWM4,所述驱动信号PWM1、PWM2、PWM3、PWM4由MCU编程产生,所述驱动信号PWM1、PWM2、PWM3、PWM4与PWM Driver相连接。

2.根据权利要求1所述的一种新型MOS管散热电路,其特征在于:所述H桥逆变电路使用单极性SPWM进行驱动控制。

3.根据权利要求1所述的一种新型MOS管散热电路,其特征在于:所述PWM Driver提升驱动信号PWM1、PWM2、PWM3、PWM4的驱动电压和驱动电流后,驱动4颗MOS管进行DC-AC逆变工作。

4.根据权利要求1所述的一种新型MOS管散热电路,其特征在于:所述的PWM Driver采用集成型的驱动芯片、分立元器件的图腾柱电路,或隔离式光耦驱动中驱动电路结构的一种。

5.根据权利要求1所述的一种新型MOS管散热电路,其特征在于:所述MCU选用型号是S9KEAZN16AMLC(R)。

6.根据权利要求1所述的一种新型MOS管散热电路,其特征在于:所述MCU控制工作周期10ms内只有MOS管Q1、Q2、Q3、Q4中的一个进行18KHz+50Hz调制工作,即正半周为Q1_18KHz+50Hz和Q4_18KHz+50Hz工作,负半周为Q2_18KHz+50Hz和Q3_18KHz+50Hz工作。

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