[实用新型]芯片转移装置

说明书

本申请涉及一种芯片转移装置。芯片转移装置包括第一基板和光解胶层，光解胶层位于第一基板的一侧，且光解胶层中具有散射粒子。采用上述芯片转移装置对芯片进行转移时，对光解胶层进行解粘的激光能够被其中的散射粒子散射，使得激光的能量分布更加均匀化，从而降低了激光穿透芯片转移装置后作用到芯片上的能量，进而避免了转移时激光能量过大对芯片的损伤所导致的电性能降低。

技术领域

本申请涉及Micro LED中激光剥离技术领域，尤其涉及一种芯片转移装置。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro LED)是新一代的显示技术。与现有的液晶显示相比具有更高的光电效率，更高的亮度，更高的对比度，以及更低的功耗，且还能结合柔性面板实现柔性显示，与传统的发光二极管(Light Emitting Diode，LED)显示相比，它具有相同的发光原理。

现阶段Micro-LED主要是以范德华力为主的巨量转移，该项转移技术成熟度最高，设备开发程度最快，但基于范德华力技术巨量转移只能实现全面转移或者特定间隔的转移，不能有效实现特定行列位置的芯片进行转移，后期对Micro-LED显示器件的修复具有一定的局限性，为了提升巨量转移速度与更好的匹配修复需求，激光选择性转移技术应运而生，但目前激光选择性转移技术往往是基于光解胶进行，利用特定波长的激光使芯片位置下面的光解胶失效，降低胶材对芯片的粘性，从而进一步实现选择性转移，但该工艺与胶材息息相关，胶材胶厚即便激光解粘后仍不能实现有效转移，胶材较薄激光解粘后芯片的电性会出现损伤，常规材料与方式难以适用于该项技术。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种芯片转移装置，旨在解决现有技术中激光转移芯片的工艺易导致芯片不能有效转移或芯片出现损伤的问题。

一种芯片转移装置，其包括：

第一基板；

光解胶层，位于第一基板的一侧，且光解胶层中具有散射粒子。

采用上述芯片转移装置对芯片进行转移时，对光解胶层进行解粘的激光能够被其中的散射粒子散射，使得激光的能量分布更加均匀化，从而降低了激光穿透芯片转移装置后作用到芯片上的能量，进而避免了转移时激光能量过大对芯片的损伤所导致的电性能降低。

可选地，散射粒子的粒径和折射率满足公式：其中，α为无因次粒径参量，m为散射粒子的折射率，d为散射粒子的粒径，f为入射到散射粒子上的激光的光频率，c为激光的光速，λ为激光的波长。满足上述公式的散射粒子能够使入射的激光产生米氏散射(MIE散射)，米氏散射能够使激光的能量分布更加均匀化。

可选地，α＜1。对于满足上述公式的散射粒子，通过使α＜1，可以实现有效分散激光能量的目的，在激光的光频率、光速和波长以及散射粒子的种类已知时，可以推算出散射粒子的粒径。

可选地，散射粒子为胶体晶体。为了通过散射粒子使入射的激光产生米氏散射，上述散射粒子可以为胶体晶体，如二氧化硅、聚苯乙烯等。

可选地，散射粒子位于第一基板的表面构成至少一层微结构层。通过将散射粒子形成微结构层，能够使进入芯片转移装置的激光可以更多的入射到散射粒子上发生散射，从而使激光的能量分布更加均匀化。

可选地，位于同一层的散射粒子的粒径相同。通过使位于同一层中散射粒子的粒径相同，能够进一步使入射到散射粒子上发生散射的激光能量分布均匀化。

可选地，位于同一层的散射粒子的种类相同。对于满足上述公式的散射粒子，通过使位于同一层中的散射粒子的粒径和种类均相同，在采用具有相同光频率、光速和波长的激光对微结构层进行照射时，能够使散射粒子具有相同的无因次粒径参量α，从而保证了散射后激光的能量分布更加均匀化。