[实用新型]一种背接触太阳能电池串、组件及系统有效
申请号: | 202121186404.6 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN214898458U | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 戴伟;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 贾振勇 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接触 太阳能电池 组件 系统 | ||
本实用新型适用于太阳能电池技术领域,提供了一种背接触太阳能电池串、组件及系统,背接触太阳能电池串包括至少两个电池片,各个电池片均包括交替布置的P型掺杂区和N型掺杂区,P型掺杂区设有正极细栅线,N型掺杂区设有负极细栅线;及连接正极细栅线及负极细栅线的多条导电线;每根导电线与正极细栅线及负极细栅线的连接处上间隔设置有用于导电线与正极细栅线或负极细栅线电连接的导电区域、及用于导电线与负极细栅线或正极细栅线绝缘连接的绝缘区域;相邻的两个电池片之间规律性的截断有导电线。本实用新型提供的背接触太阳能电池串,解决了现有电池片浆料用料大所带来的成本高及各电池片间正背面迂回连接所带来的制作困难的问题。
技术领域
本实用新型属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种背接触太阳能电池串、组件及系统。
背景技术
太阳能电池是一种将光能转化为电能的半导体器件,较低的生产成本和较高的能量转化效率一直是太阳能电池工业追求的目标。对于目前常规太阳能电池,其发射极接触电极和基极接触电极分别位于电池片的正反两面。电池的正面为受光面,正面金属发射极接触电极的覆盖必将导致一部分入射的太阳光被金属电极所反射遮挡,造成一部分光学损失。普通晶硅太阳能电池的正面金属电极的覆盖面积在7%左右,减少金属电极的正面覆盖可以直接提高电池的能量转化效率。背接触太阳能电池是一种将发射极和基极接触电极均放置在电池背面(非受光面)的电池,该电池的受光面无任何金属电极遮挡,从而有效增加了电池片的短路电流,同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻从而提高填充因子;并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高,而且看上去更美观,同时,全背电极的组件更易于装配。
现有背接触太阳能电池串接成电池串后经其他工序制作成组件,其串接技术为将每一极性(N型和P型)的主栅焊接至该电池片边缘处的焊带上。然后从一个电池片的正面电极(负极)焊带通过焊锡丝焊接到相邻电池片的背面电极(正极)焊带上,并在所串接形成的电池串的正负极焊接出引线,使得形成电池片互联。然而这些电池片上焊带所采用的间距降低了太阳能电池的总效率,而且,其主栅需要消耗大量的银浆,使得在电池片上形成主栅和焊带的工艺成本较高。同时这些焊带从一个电池片的背面迂回到相邻下一个电池片的正面,可能带来如难以对齐等的制造困难。另一方面由于电池片的单面焊接,容易使得由于应力而造成电池片的翘曲问题。
实用新型内容
本实用新型实施例的目的在于提供一种背接触太阳能电池串,旨在解决现有的电池片浆料用料大所带来的成本高及各电池片间正背面迂回连接所带来的制作困难的问题。
本实用新型实施例是这样实现的,一种背接触太阳能电池串,包括:
至少两个电池片,各个所述电池片均包括交替布置的P型掺杂区和N型掺杂区,所述P型掺杂区设有正极细栅线,所述N型掺杂区设有负极细栅线;及
连接所述正极细栅线及所述负极细栅线的多条导电线;
其中,每根导电线与所述正极细栅线及所述负极细栅线的连接处上间隔设置有用于所述导电线与所述正极细栅线或所述负极细栅线电连接的导电区域、及用于所述导电线与所述负极细栅线或所述正极细栅线绝缘连接的绝缘区域;
相邻的两个所述电池片之间规律性的截断有所述导电线。
更进一步的,所述导电线包括第一导电线和第二导电线,所述第一导电线在所述导电区域与电池片上的正极细栅线及相邻电池片上的负极细栅线电连接,所述第一导电线在所述绝缘区域与电池片上的负极细栅线及相邻电池片上的正极细栅线绝缘连接;
所述第二导电线在所述导电区域与电池片上的负极细栅线及相邻电池片上的正极细栅线电连接,所述第二导电线在所述绝缘区域与电池片上的正极细栅线及相邻电池片上的负极细栅线绝缘连接。
更进一步的,所述导电线包括有金属线及部分包裹所述金属线的复合膜。
更进一步的,所述导电线为金属线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的