[实用新型]背面接触结构、太阳能电池、电池组件和光伏系统

说明书

本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了背面接触结构、太阳能电池、电池组件和光伏系统，该背面接触结构包括间隔设置于硅衬底背面的凹槽；交替设置在各个凹槽中的第一导电区和第二导电区，第一导电区包括依次设置于凹槽上的第一电介质层和第一掺杂区域，第二导电区包括第二掺杂区域；设置于第一导电区和第二导电区之间的第二电介质层，第二电介质层为至少一层；及设置在第一导电区和所述第二导电区上的导电层。本实用新型中提供的背面接触结构，解决了现有对于沟槽宽度控制要求高及钝化效果差的问题。

技术领域

本实用新型属于太阳能电池技术领域，尤其涉及背面接触结构、太阳能电池、电池组件和光伏系统。

背景技术

在晶体硅太阳能电池中，电池的效率损失可以分为电学损失和光学损失两个方面，电学损失重要组成部分为金属-半导体接触引起的复合损失和电阻损失，而光学损失的重要组成部分为受光面金属栅线的遮挡。

其中钝化金属接触结构具有显著的电学性能，可同时获得低接触电阻率和低表面复合，此结构由一层超薄的隧穿氧化层和N型掺杂或P型掺杂的多晶硅层组成。由于掺杂多晶硅层对光的吸收属于‘寄生性’吸收，即对光生电流没有贡献，因此钝化金属接触结构多用于电池的背面，使得前表面彻底避免了金属栅线的遮挡。其太阳能电池上接收的太阳辐射产生电子和空穴，这些电子和空穴迁移到掺杂多晶硅层，进而在掺杂多晶硅层之间产生电压差。现有可设置由上述的钝化金属接触结构及钝化金属接触结构组成太阳能电池，或由上述的钝化金属接触结构及扩散结构组成太阳能电池。

现有钝化金属接触结构与扩散结构直接在硅片背面进行沉积，然而其相互之间无阻隔连接在一起时会产生漏电等不良现象。因此为解决上述无阻隔产生的问题，其通过在钝化金属接触结构与扩散结构之间开设一条宽度极窄的沟槽来实现钝化金属接触结构与扩散结构的分离，从而避免发生漏电降低电池开路电压。然而现有其沟槽采用激光开孔或者湿法刻蚀制备，此时由于现有沟槽宽度为几十微米，对于宽度控制要求高，使得制备难度大及仅采用单层电介质层钝化，然而采用单层电介质层进行钝化，其钝化效果较差，且产生的内背反射效果差。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种太阳能电池的背面接触结构，旨在解决现有对于沟槽宽度控制要求高及钝化效果差的问题。

本实用新型实施例是这样实现的，一种太阳能电池的背面接触结构，包括：

间隔设置于硅衬底背面的凹槽；

交替设置在各个所述凹槽中的第一导电区和第二导电区，所述第一导电区包括依次设置于所述凹槽上的第一电介质层和第一掺杂区域，所述第二导电区包括第二掺杂区域；

设置于所述第一导电区和所述第二导电区之间的第二电介质层，所述第二电介质层为至少一层；及

设置在所述第一导电区和所述第二导电区上的导电层。

更进一步的，所述第一掺杂区域为P型掺杂区域，所述第二掺杂区域为N 型掺杂层；或

所述第一掺杂区域为N型掺杂区域，所述第二掺杂区域为P型掺杂层。

更进一步的，所述第一掺杂区域包括掺杂多晶硅或掺杂碳化硅或掺杂非晶硅。

更进一步的，所述第一电介质层为隧穿氧化层、本征碳化硅层、及本征非晶硅层中的一种或多种组合。

更进一步的，所述第二电介质层为氧化铝层、氮化硅层、氮氧化硅层、本征碳化硅层、本征非晶硅层及氧化硅层中的一种或多种组合。

更进一步的，所述第二电介质层覆盖在所述第一导电区与所述第二导电区之间的区域上、或延伸覆盖至所述第一导电区和/或所述第二导电区上。

更进一步的，位于所述第一导电区与所述第二导电区之间区域的硅衬底背面具有粗糙纹理结构。