[实用新型]一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构及电子设备有效
申请号: | 202121265564.X | 申请日: | 2021-06-08 |
公开(公告)号: | CN213694299U | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 孙之琳 | 申请(专利权)人: | 荣耀终端有限公司 |
主分类号: | H05K1/02 | 分类号: | H05K1/02;H05K1/18;H05K9/00 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 518040 广东省深圳市福田区香蜜湖街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改善 耦合 向外 辐射 性能 结构 电子设备 | ||
1.一种改善腔内耦合与向外辐射性能的结构,包括电路板以及设置在所述电路板上的第一器件和其它器件,其特征在于,还包括设置在所述电路板上的环形的第一屏蔽板,所述第一屏蔽板上设置有第二屏蔽板,所述电路板、所述第一屏蔽板和所述第二屏蔽板形成一封闭的屏蔽罩,所述第一器件和所述其它器件位于所述屏蔽罩内,所述第二屏蔽板靠近所述电路板的一侧设置有吸波板,所述吸波板与所述第一器件正对设置,所述吸波板用于吸收所述第一器件所产生的电磁波。
2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述第二屏蔽板上设有一开口,所述开口正对所述第一器件设置,所述第二屏蔽板上设置有第三屏蔽板,所述第三屏蔽板将所述开口完全覆盖,所述第三屏蔽板包括基板和设置在所述基板上的所述吸波板,所述基板连接在所述第二屏蔽板上,所述吸波板位于所述开口处,且与所述第一器件正对设置。
3.根据权利要求2所述的结构,其特征在于,所述基板完全覆盖所述开口,所述吸波板穿过所述开口位于所述屏蔽罩内,所述基板可拆卸连接在所述第二屏蔽板上。
4.根据权利要求2或3所述的结构,其特征在于,所述吸波板通过导电胶层粘接在所述基板上,所述基板通过所述导电胶层粘接在所述第二屏蔽板上。
5.根据权利要求4所述的结构,其特征在于,所述基板的外形尺寸大于或等于所述导电胶层的外形尺寸,所述导电胶层的外形尺寸大于所述第二屏蔽板上所述开口的外形尺寸,所述第二屏蔽板上所述开口的外形尺寸大于所述吸波板的外形尺寸。
6.根据权利要求4所述的结构,其特征在于,所述第一屏蔽板、所述第二屏蔽板和所述基板均为金属板。
7.根据权利要求6所述的结构,其特征在于,所述基板为铜箔。
8.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述第一屏蔽板通过表面贴装技术连接在所述电路板上。
9.根据权利要求8所述的结构,其特征在于,所述第一屏蔽板和所述第二屏蔽板一体成型。
10.一种电子设备,其特征在于,包括机身以及如权利要求1至9任意一项所述的结构,所述结构设置于所述机身内。
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