[实用新型]一种室温双通道可调控的太赫兹探测器有效
| 申请号： | 202121268218.7 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN215418202U | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘昌龙;张拾;马汝佳;李冠海;陈效双 | 申请（专利权）人： | 国科大杭州高等研究院 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113;H01L31/0336;H01L31/0224;H01L31/18;G01J1/42 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 邓世凤 |
| 地址： | 310024 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 室温 双通道 调控 赫兹 探测器 | ||
1.一种室温双通道可调控的太赫兹探测器，其特征在于：所述探测器包括覆盖氧化硅的硅衬底(6)，在所述覆盖氧化硅的硅衬底(6)上转移分子束外延生长的一维砷化铟纳米线(2)，在所述一维砷化铟纳米线(2)延伸方向制备源漏电极(4)以及相应的引线电极(5)，在所述一维砷化铟纳米线(2)的导电沟道上面生长氧化铝栅介质层(8)，分立栅电极(3)分别与对数周期天线(7)两臂互连，在与对数周期天线(7)两臂间距中转移二维石墨烯导电沟道(1)，所述二维石墨烯导电沟道(1)全部覆盖分立栅电极(3)的外部。
2.根据权利要求1所述的一种室温双通道可调控的太赫兹探测器，其特征在于：所述覆盖氧化硅的硅衬底(6)的厚度0.5～1mm；所述一维砷化铟纳米线的长为6～12.5μm，直径为100～120nm；所述源漏电极(4)的厚度为50～100nm以及相应的引线电极(5)的厚度为200～400nm；所述氧化铝栅介质层(8)厚度为30～50nm。
3.根据权利要求1所述的一种室温双通道可调控的太赫兹探测器，其特征在于：所述分立栅电极(3)为金膜，其线宽为1～2.2μm，线间距500～600nm，厚度为20～50nm；所述对数周期天线(7)为金膜，外半径尺寸为：1～2mm，厚度为100～200nm。
4.根据权利要求1所述的一种室温双通道可调控的太赫兹探测器，其特征在于：所述二维石墨烯导电沟道(1)长度为5～10μm，迁移率1000～10000cm2V-1s-1，载流子浓度1011～1014cm-2。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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