[实用新型]一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片

权利要求书

1.一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片，其特征在于，包括：

敏感芯片，其底侧中部设有内腔，在该内腔的顶侧中部设有环形应力集中结构层；

过渡层，布设于敏感芯片的顶侧；

绝缘层，布设于所述过渡层的顶侧；

电极层，布设于绝缘层的两侧；

下层应变电阻层，布设于绝缘层的中部，所述下层应变电阻层与所述电极层电性连接；

隔离层，布设于下层应变电阻层的顶侧；

上层应变电阻层，布设于隔离层的上方，且与所述下层应变电阻层的位置相适应；

金属应变电阻连接层，分别与下层应变电阻层与上层应变电阻层电性连接；

保护层，布设于上层应变电阻层上且能够完全包覆所述上层应变电阻层。

2.如权利要求1所述的一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片，其特征在于，所述敏感芯片为不锈钢敏感芯片或钛敏感芯片。

3.如权利要求1所述的一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片，其特征在于，所述过渡层为卡玛合金层，所述过渡层的厚度为30～50nm。

4.如权利要求1所述的一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片，其特征在于，所述绝缘层为二氧化硅层，所述绝缘层的厚度为2～5μm。

5.如权利要求1所述的一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片，其特征在于，所述电极层为金层，所述电极层的厚度为200～250nm。

6.如权利要求1所述的一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片，其特征在于，所述下层应变电阻层为卡玛合金制成的惠斯通电桥，所述下层应变电阻层的厚度为80～120nm。

7.如权利要求1所述的一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片，其特征在于，所述隔离层为二氧化硅层，所述隔离层的厚度为100nm。

8.如权利要求1所述的一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片，其特征在于，所述金属应变电阻连接层为卡玛合金层，所述金属应变电阻连接层的厚度为120～150nm。

9.如权利要求1所述的一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片，其特征在于，所述上层应变电阻层为卡玛合金制成的惠斯通电桥，所述上层应变电阻层的厚度为80～120nm。

10.如权利要求1所述的一种高灵敏度薄膜压力传感器芯片，其特征在于，保护层为二氧化硅层，所述保护层的厚度为300～500nm。