[实用新型]灯丝结构、离子源及热场发射电子源有效
申请号: | 202121277729.5 | 申请日: | 2021-06-08 |
公开(公告)号: | CN215299175U | 公开(公告)日: | 2021-12-24 |
发明(设计)人: | 郝占海;蔡素枝;陆梁 | 申请(专利权)人: | 大束科技(北京)有限责任公司 |
主分类号: | H01J37/08 | 分类号: | H01J37/08;H01J37/063;H01J37/073;H01J37/075;H01J37/26 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 高淑凤 |
地址: | 102200 北京市昌平区回*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 灯丝 结构 离子源 发射 电子 | ||
1.一种灯丝结构,其特征在于,包括灯丝本体,所述灯丝本体呈V型结构,其中:
所述V型结构的两顶端分别与两接线柱连接,所述V型结构的尖端与发射体连接,所述V型结构与任一所述接线柱的连接点至其所述尖端之间的距离,等于所述V型结构与所述接线柱两个连接点之间的距离。
2.根据权利要求1所述的灯丝结构,其特征在于,所述灯丝本体包括分别与两所述接线柱连接的第一加热丝和第二加热丝,所述第一加热丝和所述第二加热丝连接形成所述V型结构,所述第一加热丝和所述第二加热丝等长,且两者之间的角度为60°。
3.根据权利要求2所述的灯丝结构,其特征在于,所述第一加热丝和所述第二加热丝分别连接于两根所述接线柱的相对侧或同侧。
4.根据权利要求1所述的灯丝结构,其特征在于,所述发射体与所述V型结构的所述尖端焊接。
5.根据权利要求1-4任一项所述的灯丝结构,其特征在于,所述V型结构的尖端位于两根所述接线柱轴线的中心线上,以使所述发射体位于两根所述接线柱轴线的中心线上。
6.根据权利要求2所述的灯丝结构,其特征在于,所述第一加热丝和所述第二加热丝均与所述接线柱焊接。
7.根据权利要求2所述的灯丝结构,其特征在于,所述第一加热丝和/或所述第二加热丝为钨丝。
8.一种离子源,其特征在于,包括接线柱、发射体、离子存储结构、吸出极和权利要求1-7任一所述的灯丝结构,所述离子存储结构与所述发射体相连接,且所述离子存储结构表面的液态金属能流至所述发射体,所述发射体与所述吸出极上的光阑正对设置。
9.一种热场发射电子源,其特征在于,包括接线柱、发射体、吸出极和权利要求1-7任一所述的灯丝结构,所述发射体与所述吸出极上的光阑正对设置。
10.根据权利要求9所述的热场发射电子源,其特征在于,所述热场发射电子源还包括陶瓷座和肖特基抑制极,其中:所述肖特基抑制极位于所述陶瓷座外,两根所述接线柱的一端穿过所述陶瓷座且另一端延伸出所述陶瓷座外。
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