[实用新型]一种输入输出低压差电路有效
申请号: | 202121278886.8 | 申请日: | 2021-06-08 |
公开(公告)号: | CN216748572U | 公开(公告)日: | 2022-06-14 |
发明(设计)人: | 郑清良;黄敏光;黄卫强;方兵洲 | 申请(专利权)人: | 拓尔微电子股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/625 | 分类号: | G05F1/625 |
代理公司: | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人: | 乐珠秀 |
地址: | 710000 陕西省西安市高新*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 输入输出 低压 电路 | ||
1.一种输入输出低压差电路,其特征在于,包括:
第一MOS管,所述第一MOS管的漏极连接于电压输入端;
第二MOS管,所述第二MOS管的漏极连接于所述第一MOS管的源极,所述第二MOS管的源极接地;
第三MOS管,所述第三MOS管的漏极连接于所述第一MOS管的漏极,所述第三MOS管的源极连接于电压输出端;
电感,所述电感的一端连接于所述第一MOS管的源极,所述电感的另一端连接于所述电压输出端。
2.根据权利要求1所述的一种输入输出低压差电路,其特征在于,还包括第一电容,所述第一电容的一端连接于电压输入端,所述第一电容的另一端接地。
3.根据权利要求1所述的一种输入输出低压差电路,其特征在于,还包括第二电容,所述第二电容的一端连接于所述电压输出端,所述第二电容的另一端接地。
4.根据权利要求1所述的一种输入输出低压差电路,其特征在于,所述第一MOS管、所述第二MOS管和所述第三MOS管为N沟道型MOS管。
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