[实用新型]导磁架及电磁线圈有效
申请号: | 202121304082.0 | 申请日: | 2021-06-10 |
公开(公告)号: | CN215635280U | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 邵巨灿;刘海波 | 申请(专利权)人: | 浙江盾安禾田金属有限公司 |
主分类号: | F16K31/06 | 分类号: | F16K31/06;H01F27/24;H01F27/30 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 赵新龙;阚梓瑄 |
地址: | 311800 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导磁架 电磁 线圈 | ||
1.一种导磁架,其特征在于,所述导磁架包括:
本体(100),具有一用于收容线圈本体(300)的腔体(110),所述腔体(110)具有一开口(111);以及
凸起部(200),设于所述腔体(110)的内侧壁,所述凸起部(200)包括导引结构(210)和止挡结构(220);
所述导引结构(210)朝向所述开口(111)方向设置,用以引导所述线圈本体(300)沿一装入方向并通过所述开口(111)装入所述腔体(110)内;所述止挡结构(220)用以止挡所述线圈本体(300)沿与所述装入方向相反的方向相对于所述本体(100)移动。
2.根据权利要求1所述的导磁架,其特征在于,所述凸起部(200)与所述本体(100)为一体结构。
3.根据权利要求2所述的导磁架,其特征在于,所述凸起部(200)是由所述本体(100)的一侧壁(101)通过切舌工艺加工而成。
4.根据权利要求3所述的导磁架,其特征在于,所述导引结构(210)为一向所述腔体(110)内部倾斜的导引平面;
沿着所述装入方向,所述导引平面与所述腔体(110)的内侧壁之间的距离逐渐变大。
5.根据权利要求4所述的导磁架,其特征在于,所述止挡结构(220)为一止挡面;
所述止挡面与所述导引平面之间形成第一夹角,所述导引平面与所述腔体(110)的内侧壁之间形成第二夹角,所述第一夹角与所述第二夹角之和为90度。
6.根据权利要求4所述的导磁架,其特征在于,所述导引平面与所述腔体(110)的内侧壁之间的最远距离为h,其中0.05mm≤h≤0.5mm。
7.根据权利要求2所述的导磁架,其特征在于,所述凸起部(200)是由所述本体(100)的一侧壁(101)通过击凸工艺加工而成。
8.根据权利要求7所述的导磁架,其特征在于,所述凸起部(200)沿着垂直于所述装入方向的方向延伸,且所述凸起部(200)朝向所述开口(111)的侧壁设有所述导引结构(210);或者,
所述凸起部(200)包括多个沿着垂直于所述装入方向的方向均匀布置的凸台(230),每个所述凸台(230)朝向所述开口(111)的侧壁设有所述导引结构(210)。
9.根据权利要求8所述的导磁架,其特征在于,所述凸起部(200)远离所述腔体(110)的内侧壁的表面与所述腔体(110)的内侧壁之间的距离为h,其中0.05mm≤h≤0.5mm。
10.一种电磁线圈,其特征在于,包括:
线圈本体(300);以及
如权利要求1至9任一项所述的导磁架,所述导磁架套设于所述线圈本体(300)的外周。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江盾安禾田金属有限公司,未经浙江盾安禾田金属有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121304082.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。