[实用新型]一种反激变压器及反激开关电源

说明书

本实用新型涉及电子元器件领域，更具体地，涉及一种反激变压器及反激开关电源。所述反激变压器包括原边、副边以及设置在所述原边与所述副边之间的屏蔽层，所述原边的电位跳变点用于连接一MOSFET的漏极，所述MOSFET的源极连接原边地，所述副边的电位跳变点用于连接一二极管的输入端，所述屏蔽层的一端通过一电容电路连接原边地，用于调整共模噪声。本实用新型的技术方案可以通过调整电容电路上的电容大小以使反激变压器原边到副边的共模噪声与副边到原边的共模噪声最大程度地相互抵消，进而调整反激变压器的整体共模噪声大小，实现方式简单，效果明显。

技术领域

本实用新型涉及电子元器件领域，更具体地，涉及一种反激变压器及反激开关电源。

背景技术

反激变压器中的电磁干扰源包括原边的MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)和副边的二极管，由于MOSFET和二极管的电压波形变化正好相反，因此它们产生的共模噪声方向是相反的，故而，反激变压器的整体共模噪声是MOSFET产生的原边到副边的共模噪声与二极管产生的副边到原边的共模噪声的差值。

现有技术中，为了改善反激变压器从原边到副边的共模噪声耦合，会在原边与副边之间增加屏蔽层，通过将屏蔽层接原边地的方式使得原边共模噪声回流到原边地，可以减小通过原边寄生电容耦合到副边的共模噪声，也即减小原边到副边的耦合噪声，从而改善反激变换器整体共模噪声水平。但是，当副边到原边的耦合噪声大于原边到副边的耦合噪声时，增加屏蔽层接原边地的方式会导致原边到副边的共模噪声减少，不足以抵消副边到原边的共模噪声，可能反而会导致整体共模噪声增加。

实用新型内容

本实用新型旨在克服上述现有技术的至少一种缺陷(不足)，提供可以改善整体共模噪声的一种反激变压器及反激开关电源。

本实用新型第一方面采取的技术方案是，

一种反激变压器，包括原边、副边以及设置在所述原边与所述副边之间的屏蔽层，所述原边的电位跳变点用于连接一MOSFET的漏极，所述MOSFET的源极连接原边地，所述副边的电位跳变点用于连接一二极管的输入端，所述屏蔽层的一端通过一电容电路连接原边地，用于调整共模噪声。

进一步地，所述电容电路包括一电容，所述屏蔽层的一端通过所述电容连接原边地。

进一步地，所述电容的大小在0到1000pf之间。

进一步地，所述屏蔽层为屏蔽绕组或铜箔层。

进一步地，还包括Y电容，所述Y电容一端连接所述原边的静电位点，另一端连接所述副边的静电位点。

本实用新型第二方面采取的技术方案是，

一种反激开关电源，包括依次连接的整流桥电路、第一滤波电路、所述的反激变压器以及第二滤波电路，所述整流桥电路的第一交流输入端用于连接火线，所述整流桥电路的第二交流输入端用于连接零线。

进一步地，还包括第一保险电路和第二保险电路，所述第一保险电路的第一端分别与所述火线和所述第一交流输入端连接，所述第二保险电路的第一端分别与所述零线和所述第二交流输入端连接，所述第一保险电路的第二端和所述第二保险电路的第二端分别接地。

进一步地，所述第一滤波电路包括一第一滤波电容，所述第一滤波电容的第一端分别连接所述整流桥电路的直流正极端和所述反激变压器原边的静电位点，第二端分别连接所述整流桥电路的直流负极端和所述MOSFET的源极。

进一步地，所述第二滤波电路包括一第二滤波电容，所述第二滤波电容的第一端连接所述二极管的输出端，第二端连接所述反激变压器副边的静电位点。

进一步地，还包括负载，所述负载的第一端与所述第二滤波电容的第一端连接，第二端接地并与所述第二滤波电容的第二端连接。