[实用新型]一种新型左右结构金属-氧化物半导体场效应晶体管

说明书

本实用新型属于半导体技术领域，公开了一种新型左右结构金属‑氧化物半导体场效应晶体管，外延圆片上光刻有深沟槽，深沟槽之间设置有浅沟槽，深沟槽上下两端生长场氧化层；深沟槽中间位置淀积屏蔽栅多晶硅，屏蔽栅多晶硅上端光刻有接触孔，屏蔽栅多晶硅左右两端淀积栅极多晶硅。外延圆片设置有低电阻率基片和特定电阻率外延层，场氧化层位于深沟槽侧壁、底部以及外延圆片表面。本实用新型为一种新的左右结构金属‑氧化物半导体场效应晶体管，可消除多晶硅的高度差，同时很好地在屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅上打孔而不会产生屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅桥接的风险。本实用新型可以连出屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅接触孔。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种新型左右结构金属-氧化物半导体场效应晶体管。

背景技术

目前，SGT的传统工艺步骤简单为：先在外延层刻蚀形成深沟槽，接着在深沟槽里生长场氧化层，然后填充屏蔽栅多晶硅；然后刻蚀场氧化层以形成栅沟槽，随后生长栅氧化层并填充多晶硅形成栅极；最后阱区离子注入以及源区离子注入形成源极。具体的SGT结构见附图中的SGT结构俯视图与剖视图。

随着器件尺寸的不断缩小，而由于接触孔尺寸的限制，在屏蔽栅多晶硅以及栅极多晶硅上打孔连接变得越来越困难，因此容易使屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅桥接在一起而导致器件失效；为解决这个问题，现有的做法是通过对屏蔽栅多晶硅以及栅极多晶硅进行光刻，形成各自的区域用来连接孔，避免屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅桥接。而该做法的劣势在于屏蔽栅多晶硅和栅极多晶硅因光刻在晶圆表面产生高度差，高度差大约为1um，如此一来会影响后续接触孔的光刻工艺。多晶硅的高度差一方面会影响接触孔曝光的精确度；另一方面，由于接触孔在栅极多晶硅，屏蔽栅多晶硅，以及衬底硅表面上的长度是不一样的，会增加接触孔刻蚀工艺的复杂度。

通过上述分析，现有技术存在的问题及缺陷为：现有技术中由于多晶硅因刻蚀在晶圆表面产生高度差，易影响后续接触孔的光刻工艺。

解决以上问题及缺陷的难度为：如何克服屏蔽栅多晶硅以及栅极多晶硅相对于衬底硅表面的高度差。

解决以上问题及缺陷的意义为：规避工艺复杂度，节省工艺优化所带来的额外的成本。

实用新型内容

为了解决现有技术存在的问题，本实用新型提供了一种新型左右结构金属-氧化物半导体场效应晶体管。

本实用新型是这样实现的，一种新型左右结构金属-氧化物半导体场效应晶体管，设置有：

外延圆片；

外延圆片上光刻有深沟槽，深沟槽中间位置淀积屏蔽栅多晶硅，深沟槽上下两端生长有场氧化层，深沟槽之间设置有浅沟槽。

进一步，深沟槽深度为3-6um。

进一步，屏蔽栅多晶硅上端光刻有接触孔，屏蔽栅多晶硅左右两端淀积栅极多晶硅。

进一步，所述外延圆片设置有低电阻率基片和特定电阻率外延层。

进一步，所述场氧化层位于深沟槽侧壁、底部以及外延圆片表面。

进一步，所述接触孔淀积金属和钝化层，接触孔背面金属镀层为漏极。

进一步，所述浅沟槽垂直于深沟槽方向，位于深沟槽之间。

进一步，所述浅沟槽深度0.4-0.6um，浅沟槽中沉积有栅多晶硅，栅多晶硅与深沟槽中的栅多晶硅相连。

进一步，所述场氧化层低于屏蔽栅表面

结合上述的所有技术方案，本实用新型所具备的优点及积极效果为：