[实用新型]高强度Si3N4陶瓷球强度试验装置有效
申请号: | 202121309472.7 | 申请日: | 2021-06-11 |
公开(公告)号: | CN215677811U | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
发明(设计)人: | 程志明;王芳;莫雪魁 | 申请(专利权)人: | 江苏国瓷金盛陶瓷科技有限公司 |
主分类号: | G01N3/00 | 分类号: | G01N3/00;G01N3/02 |
代理公司: | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人: | 陈丽云 |
地址: | 213200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 强度 si3n4 陶瓷球 试验装置 | ||
1.一种高强度Si3N4陶瓷球强度试验装置,包括试验机(1)以及设置在试验机(1)上的实验支架(2),其特征在于,所述实验支架(2)顶部设有检测台(3),所述实验支架(2)上设有电动推杆(4)以及连接在电动推杆(4)的伸缩端的清理架(5),所述清理架(5)端部开设有定位孔(13),同时所述清理架(5)活动连接有清理导向机构,所述电动推杆(4)通过清理架(5)带动清理导向机构对碎屑进行清理。
2.根据权利要求1所述的一种高强度Si3N4陶瓷球强度试验装置,其特征在于,所述清理导向机构包括与清理架(5)转动连接的两个导向板(6),所述导向板(6)与清理架(5)的连接处设有扭簧,所述导向板(6)的自由端设有导向柱(7),所述检测台(3)上还设有与导向柱(7)相适配的导向槽(8),所述实验支架(2)上还设有对清理架(5)限位的限位件。
3.根据权利要求2所述的一种高强度Si3N4陶瓷球强度试验装置,其特征在于,所述限位件包括设于实验支架(2)顶端的限位滑座(10),所述清理架(5)上设有限位柱(11),所述限位滑座(10)上成型有与限位柱(11)相适配的限位槽(12)。
4.根据权利要求1所述的一种高强度Si3N4陶瓷球强度试验装置,其特征在于,所述检测台(3)端部设有集渣箱(9)。
5.根据权利要求1所述的一种高强度Si3N4陶瓷球强度试验装置,其特征在于,所述定位孔(13)截面呈梯形设置。
6.根据权利要求1所述的一种高强度Si3N4陶瓷球强度试验装置,其特征在于,所述实验支架(2)一端设有开口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏国瓷金盛陶瓷科技有限公司,未经江苏国瓷金盛陶瓷科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121309472.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种古琴槽腹
- 下一篇:一种防飞溅空调设备消毒喷雾器
- 用燃烧合成高α相超细氮化硅粉体及氮化硅晶须的方法
- 表面致密多孔氮化硅陶瓷透波材料的制备方法
- 一种多孔Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>基体表面覆涂h-BN涂层的方法
- 一种表面改性纳米Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>粉体及其用途
- 低泄漏GaN MOSFET
- Ni金属膜覆盖Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>衬底生长浓度可控石墨烯材料的方法
- 具有Al‑Si3N4‑Ti/Ni/Ag结构的快恢复二极管
- 一种Si3N4基复合陶瓷及其制备方法
- 一种Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/SiON复合膜、激光器芯片及制备方法
- 纳米非晶原位合成氮化硅晶须