[实用新型]一种Micro LED芯片单体器件、显示模块及显示装置

说明书

本申请提供一种Micro LED芯片单体器件、显示模块及显示装置，该单体器件包括蓝光外延片、层叠于蓝光外延片上的Micro‑LED晶粒阵列、P电极及N电极，所述P电极与所述N电极皆配置于所述Micro‑LED晶粒阵列的外侧，且所有M icro‑LED晶粒配置成共用所述P电极与所述N电极。该单体器件利用氧化物对阵列结构进行绝缘与钝化，降低了刻蚀工艺带来的侧壁损伤问题以及漏电流问题；利用高透过率的电流扩展层全覆盖P型GaN，降低P型GaN电流扩展能力差，电流积聚问题，实现特定区域内的M i cro‑LED晶粒的同步调控，并且解决了电极挡光的问题，增加了发光面积，有效提高了发光效率。

技术领域

本申请涉及半导体发光器件技术领域，尤其涉及一种Micro LED芯片单体器件、显示模块及显示装置。

背景技术

Micro-LED是将LED结构进行薄膜化、微小化、阵列化，尺寸缩小到1-10um左右,通过批量式转移到基板上,之后进行封装完成Micro-LED的显示。

相较于液晶显示器(LCD)与有机发光二极管(OLED),Micro-LED功耗优势明显,与LCD和OLED相比,Micro-LED的功耗将更低,LCD被动发光的特点带来大量的能量损耗,由于OLED材料自身的特点,决定了其发光效率要远小于传统的III-V族半导体材料,约为传统LED的一半,在相同的使用情况下,由于发光效率的提高,Micro-LED的耗电量将为OLED的一半,也就是LCD的20-40％,致使各大厂商也在积极布局Micro-LED市场的空间。

目前,Micro-LED芯粒需转移到电路板上才能跟电路连接使用,但Micro-LED尺寸相比传统LED芯片极大缩小，在相同的显示面积上,需更多的芯粒,以当前大尺寸LED芯粒转移方式,效率极低、成本高、散热性不好,且巨量转移技术,还有很多技术瓶颈需要克服,从而使Micro-LED的大规模应用受到了阻碍。另外，目前的Micro-LED芯粒的外延生长不均匀,其制成的芯片工作发出的波长波动大,存在发光均匀性不好等问题。

因此，需要改进现有的Micro-LED芯片的制程方法。

实用新型内容

为克服上述缺陷点，本申请的目的在于：提供一种Micro LED芯片单体器件、显示模块及显示装置。该单体器件实现了特定区域内像素全体发光，且解决了现有技术发光面积损失严重，发光效率下降的问题。

为实现上述目的，本申请采用的技术方案：

一种Micro-LED芯片单体器件,其特征在于,包括:

蓝光外延片、层叠于蓝光外延片上的Micro-LED晶粒阵列、P电极及N电极，

所述Micro-LED晶粒的侧面和/或凹槽配置有沉积绝缘层，

所述P电极与所述N电极皆配置于所述Micro-LED晶粒阵列的外侧，且所有Micro-LED晶粒配置成共用所述P电极与所述N电极。在Micro-LED晶粒阵列的外围沉积两圈电极分别作为阳极与阴极，其中内圈电极置于电流扩展层之上，外圈电极置于N型GaN之上，所有晶粒共用阳极与阴极。该单体器件的显示模块实现特定区域内的Micro-LED晶粒的同步调控，并且解决了电极挡光的问题，增加了发光面积，有效提高了发光效率。

在一实施方式中，该P电极位于所述N电极的内侧。

在一实施方式中，该Micro-LED晶粒阵列的表面沉积电流扩展层，位于内圈的所述P电极置于电流扩展层。

在一实施方式中，该Micro-LED芯片单体器件,其特征在于,包括N-GaN层，其层叠于所述蓝光外延片的一侧，位于外圈的所述N电极置于N型GaN层。

在一实施方式中，该电流扩展层为ITO层，其厚度介于180nm～220nm。