[实用新型]深紫外发光二极管有效
| 申请号： | 202121317867.1 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN215118929U | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;毕京锋;高默然;范伟宏;曾家明;张成军 | 申请（专利权）人： | 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/06 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 刘畅 |
| 地址： | 361012 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 深紫 发光二极管 | ||
1.一种深紫外发光二极管，其特征在于，包括自下向上的衬底、模板层、应力调变层、n型半导体层、量子阱层和p型半导体层，所述应力调变层为超晶格层，所述超晶格层包括周期性交替堆叠的第一应力释放层和第二应力释放层，每个周期中的所述第一应力释放层和所述第二应力释放层的厚度之和大于10nm。
2.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述超晶格层的厚度小于200nm。
3.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，每个周期中的所述第一应力释放层的厚度为1nm～10nm，每个周期中的所述第二应力释放层的厚度为1nm～20nm。
4.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述周期性交替堆叠的周期数大于5且小于50。
5.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，每个周期中的所述第一应力释放层相比所述第二应力释放层更靠近所述模板层，或者，每个周期中的所述第二应力释放层相比所述第一应力释放层更靠近所述模板层。
6.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述模板层为AlN层。
7.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述第一应力释放层为AlN层，所述第二应力释放层为AlaGa1-aN层。
8.如权利要求7所述的深紫外发光二极管，其特征在于，0.8≤a1。
9.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述n型半导体层为n型AlxGa1-xN层，0.45≤x1。
10.如权利要求1所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述p型半导体层为p型AlyGa1-yN层，0.45≤y1。
11.如权利要求1～10中任一项所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述深紫外发光二极管还包括位于所述p型半导体层上的p型接触层。
12.如权利要求11所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述p型接触层为p型AlzGa1-zN层，0≤z≤0.4。
13.如权利要求11所述的深紫外发光二极管，其特征在于，所述p型接触层的厚度为20nm～400nm。
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