[实用新型]一种高双面率的太阳能电池

说明书

本实用新型公开了一种高双面率的太阳能电池，其特征在于，包括硅基底，依次设于硅基底正面的扩散层、M层正面氮化硅膜、N层氮氧化硅膜、正面氧化硅膜、正面电极，和依次设于所述硅基底背面的氧化铝膜、背面氧化硅膜、背面氮化硅膜和背面电极；其中，M≥3，N≥2；其中，靠近所述扩散层的正面氮化硅膜的折射率＞靠近所述氮氧化硅膜的正面氮化硅膜的折射率；靠近所述正面氮化硅膜的氮氧化硅膜的折射率＞靠近所述正面氧化硅膜的氮氧化硅膜的折射率。实施本实用新型，可提高双面电池的吸光效率，进而提高双面率和转换效率。

技术领域

本实用新型涉及晶体硅太阳能电池领域，尤其涉及一种高双面率的太阳能电池。

背景技术

提升晶体硅太阳能电池的光电转换效率，降低晶体硅太阳能电池单瓦制造成本是所有电池制造企业关注的焦点。近年来随着单晶硅片体载流子寿命不断提高，电池转换效率的瓶颈发生明显转变，由硅片转向电池技术，特别是电池表面钝化和表面减反射技术的发展对提升电池转换效率提升有至关重要的影响。晶体硅电池表面钝化主要取决于抑制晶体硅表面悬挂键、硅片切割损伤以及表面电荷复合中心等3方面的影响。表面减反射技术由膜材料和结构决定，合理的膜层结构可以使入射光在表面薄膜层中发生多次反射后重新被吸收。

现有太阳能电池的减反膜一般为单层或多层氮化硅膜，或者单层/多层氮化硅膜+单层/多层氮氧化硅膜的结构，其在全波长范围内的折射率普遍偏高，对正面入射光吸收不利，一定程度上制约着晶体硅太阳能电池转换效率的进一步提升。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种高双面率的太阳能电池，其可有效降低双面电池正面的折射率，提升双面率，提升太阳能电池效率。

为了解决上述技术问题，本实用新型公开了一种高双面率的太阳能电池，其包括硅基底，依次设于硅基底正面的扩散层、M层正面氮化硅膜、N层氮氧化硅膜、正面氧化硅膜、正面电极，和依次设于所述硅基底背面的氧化铝膜、背面氧化硅膜、背面氮化硅膜和背面电极；其中，M≥3，N≥2；

其中，靠近所述扩散层的正面氮化硅膜的折射率＞靠近所述氮氧化硅膜的正面氮化硅膜的折射率；靠近所述正面氮化硅膜的氮氧化硅膜的折射率＞靠近所述正面氧化硅膜的氮氧化硅膜的折射率。

作为上述技术方案的改进，所述正面氮化硅膜的折射率为1.89～2.40，所述氮氧化硅膜的折射率为1.52～1.95，所述正面氧化硅膜的折射率为1.46～1.56。

作为上述技术方案的改进，所述扩散层上设有5层正面氮化硅膜；

由扩散层一侧至氮氧化硅膜一侧的正面氮化硅膜的折射率分别为2.34～2.40、2.12～2.18、2.06～2.12、1.96～2.02和1.89～1.95；

由扩散层一侧至氮氧化硅膜一侧的正面氮化硅膜的厚度分别为8～14nm、7～13nm、7～11nm、5～9nm和5～9nm。

作为上述技术方案的改进，所述正面氮化硅膜上设有2层氮氧化硅膜；

由正面氮氧化硅膜一侧至正面氧化硅膜一侧的氮氧化硅膜的折射率分别为1.69～1.75和1.58～1.64；

由正面氮氧化硅膜一侧至正面氧化硅膜一侧的氮氧化硅膜的厚度分别为11～17nm和7～13nm。

作为上述技术方案的改进，所述正面氧化硅膜的折射率为1.46～1.50，其厚度为9～15nm。

作为上述技术方案的改进，所述扩散层上设有6层正面氮化硅膜；

由扩散层一侧至氮氧化硅膜一侧的正面氮化硅膜的折射率分别为2.34～2.40、2.12～2.18、2.06～2.12、2.00～2.06、1.96～2.02和1.89～1.95；