[实用新型]一种平面光波导芯片有效
| 申请号： | 202121369213.3 | 申请日： | 2021-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN216013727U | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 吴凡;罗勇;徐晓辉;张冀 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/13 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 聂俊伟 |
| 地址： | 430000 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 波导 芯片 | ||
1.一种平面光波导芯片，其特征在于，包括：硅衬底、下包层、芯层、上包层和沟槽；
所述下包层耦合于所述硅衬底的上表面；所述上包层耦合于所述下包层的上表面；所述芯层位于所述上包层中，并耦合于所述下包层的上表面；
所述沟槽从所述上包层的上表面，贯穿所述上包层、所述芯层并进入至所述下包层。
2.根据权利要求1所述的平面光波导芯片，其特征在于，所述沟槽贯穿所述下包层，并进入至所述硅衬底。
3.根据权利要求2所述的平面光波导芯片，其特征在于，所述沟槽贯穿所述硅衬底。
4.根据权利要求1-3任一所述的平面光波导芯片，其特征在于，所述沟槽内填充有紫外固化胶；
所述紫外固化胶用于吸收所述芯层中的杂散光，以及吸收所述芯层中的热量。
5.根据权利要求1-3任一所述的平面光波导芯片，其特征在于，所述沟槽贯穿所述芯层时的截面，位于波导之间的罗兰圆处。
6.根据权利要求1-3任一所述的平面光波导芯片，其特征在于，所述沟槽与所述上包层的上表面之间的夹角为85°至90°。
7.根据权利要求1-3任一所述的平面光波导芯片，其特征在于，所述沟槽的数量为多道；所有所述沟槽平行设置。
8.根据权利要求1-3任一所述的平面光波导芯片，其特征在于，所述芯层包覆有间隔设置的平面光波导电路和可变光衰减电路；
在所述上包层的上表面熔覆有第一电极和第二电极；
所述第一电极，间隔设置于所述平面光波导电路的上方；
所述第二电极，间隔设置于所述可变光衰减电路的上方。
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