[实用新型]一种基于动态电压恢复器的MCU死机保护装置

权利要求书

1.一种基于动态电压恢复器的MCU死机保护装置，串联接于系统电源与负载之间，包括相连接的可控硅、逆变模块，所述逆变模块包括MCU，其特征在于：所述逆变模块还包括转换单元、故障保护单元，所述MCU、转换单元、故障保护单元、可控硅顺序串联连接；

其中，所述转换单元，根据所述MCU发出的信号，判断所述MCU状态，从而对电路做逆变输出电平转换；

所述故障保护单元，根据所述转换单元的电平输出，向所述可控硅提供驱动信号，从而实现MCU死机保护。

2.根据权利要求1所述的一种基于动态电压恢复器的MCU死机保护装置，其特征在于：所述转换单元包括电阻R1～R10、电容C1、二极管D1、D2、电压跟随器U1、比较器U2、U3、与非门U4；所述电压跟随器U1的正输入端与所述MCU的信号引脚端相连接，所述电压跟随器U1的负输入端接于所述电压跟随器U1的输出端、并与所述电阻R1的一端相连接，所述电阻R1的另一端与所述电容C1的一端、所述电阻R2、R5的一端、所述比较器U2的正输入端、所述比较器U3的负输入端均相连接，所述电容C1、电阻R2的另一端相连后接地，所述比较器U2的负输入端与所述电阻R3、R4的一端均相连接，所述电阻R3的另一端接电源3.3V，所述电阻R4的另一端接地，所述比较器U3的正输入端与所述电阻R6、R7、R8的一端均相连接，所述电阻R7的另一端接电源3.3V，所述电阻R6的另一端接地，所述电阻R8的另一端与所述二极管D2的正极相连，所述二极管D2的负极与所述电阻R9的一端、比较器U3的输出端、与非门U4的第一输入端均相连接，所述电阻R9的另一端接电源5V，所述电阻R5的另一端与所述二极管D1的正极相连接，所述二极管D1的负极与所述电阻R10的一端、比较器U2的输出端、与非门U4的第二输入端均相连接，所述电阻R10的另一端接电源5V，所述与非门U4的输出端接于所述故障保护单元。

3.根据权利要求2所述的一种基于动态电压恢复器的MCU死机保护装置，其特征在于：所述故障保护单元包括电阻R11～R16、三极管Q1、光电耦合器U5、电容C2～C4，所述光电耦合器U5采用型号HCPL2631双通道高速隔离光耦；所述电阻R11的一端接于所述与非门U4的输出端，所述电阻R11的另一端与所述电阻R12的一端、三极管Q1的基极均相连接，所述电阻R12的另一端与所述三极管Q1的发射极相连后接所述电源3.3V，所述三极管Q1的集电极经所述电阻R13后接于所述光电耦合器U5的4脚，所述光电耦合器U5的1脚连接所述电阻R14的一端，所述电阻R14的另一端与所述光电耦合器U5的2、3脚均相连后接地，所述光电耦合器U5的5脚与所述电容C2、C3、C4的一端均相连后接地，所述光电耦合器U5的8脚与所述电阻R15、R16的一端、电容C2的另一端均相连后接于所述电源5V，所述光电耦合器U5的7脚与所述电容C3的另一端、电阻R15的另一端均相连接；所述光电耦合器U5的6脚与所述电容C4的另一端、电阻R16的另一端均相连接，且此连接点作为故障保护信号端与所述可控硅相连接。

4.根据权利要求2所述的一种基于动态电压恢复器的MCU死机保护装置，其特征在于：所述MCU的信号引脚端发出的信号是频率为8KHz、占空比为50％的方波信号。