[实用新型]相位对焦像素结构、图像传感器及电子设备

权利要求书

1.一种相位对焦像素结构，其特征在于，所述相位对焦像素结构包括：

像素阵列，包括若干个呈阵列排布的像素区，每一所述像素区包括至少两个子像素区，且所述子像素区中设置有感光元件；以及

像素电路，至少包括传输晶体管、浮动扩散点及源极跟随晶体管，所述传输晶体管与所述感光元件对应，且两端分别与所述感光元件及所述浮动扩散点电连接，所述源极跟随晶体管连接至所述浮动扩散点，其中，所述传输晶体管设置于对应的所述感光元件的角部，且四个所述传输晶体管对向设置形成开口，所述源极跟随晶体管位于所述开口中；

其中，像素单元包括第一对焦像素组及第二对焦像素组，所述第一对焦像素组被配置为感测第一光，以得到第一对焦图像；所述第二对焦像素组被配置为感测第二光，以得到第二对焦图像，且所述第一对焦像素组包括所述像素区的至少一个所述子像素区，所述第二对焦像素组包括所述像素区中另外的至少一个所述子像素区。

2.根据权利要求1所述的相位对焦像素结构，其特征在于，每一所述像素区包括两个所述子像素区，且各所述子像素区对应的所述传输晶体管以一角度倾斜设置于对应的所述感光元件的角部，并与相邻所述像素区的两个所述传输晶体管对向设置形成所述开口，且形成所述开口的相邻两个所述像素区共用同一所述像素电路。

3.根据权利要求2所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述像素电路还包括重置晶体管及行选择晶体管，所述重置晶体管与所述行选择晶体管分别位于共用同一所述像素电路的两个所述像素区相互远离的一侧；和或，所述像素电路还包括增益控制晶体管，且每一所述像素区包括两个所述浮动扩散点，相邻两个像素区的子像素区分别共用对应的所述浮动扩散点，所述增益控制晶体管及所述源极跟随晶体管分布于一所述浮动扩散点的两侧。

4.根据权利要求1所述的相位对焦像素结构，其特征在于，每一所述像素区包括四个所述子像素区，且各所述子像素区对应的所述传输晶体管以一角度倾斜设置于对应的所述感光元件的角部，所述像素区的四个所述子像素区对应的所述传输晶体管对向设置形成所述开口，且每一所述像素区的各所述子像素区共同同一所述像素电路。

5.根据权利要求4所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述像素电路还包括重置晶体管及行选择晶体管，所述行选择晶体管位于同一行相邻所述子像素区之间并与所述源极跟随晶体管沿同一方向排布，所述重置晶体管位于同一列相邻所述子像素区之间并与所述源极跟随晶体管沿另一方向排布；和或，所述像素电路还包括增益控制晶体管，且每一所述像素区包括两个所述浮动扩散点，同一列相邻两个子像素区分别共用对应的所述浮动扩散点，所述增益控制晶体管与所述源极跟随晶体管分布于一所述浮动扩散点的两侧。

6.根据权利要求1所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述对焦像素结构还包括：

基底，所述像素阵列及所述像素电路设置在所述基底中；

第一隔离区，位于所述像素区的外围以隔离相邻所述像素区；

第二隔离区，位于所述像素区内并延伸至所述基底中；

其中，所述第二隔离区包括离子掺杂隔离区，所述第一隔离区及所述第二隔离区将所述像素区划分为至少两个所述子像素区，以基于所述子像素区实现相位对焦。

7.根据权利要求6所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述第一隔离区包括外围离子掺杂区及外围深沟槽区，且所述外围深沟槽区位于所述外围离子掺杂区中。

8.根据权利要求6所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述第二隔离区还包括背面深沟槽隔离区，其中，所述背面深沟槽隔离区、所述离子掺杂隔离区及所述第一隔离区共同将所述像素区划分为至少两个所述子像素区。

9.根据权利要求8所述的相位对焦像素结构，其特征在于，所述背面深沟槽隔离区与所述离子掺杂隔离区具有交叠区域以形成交叠隔离区，所述交叠隔离区具有至少两个交叠隔离区端部，所述交叠隔离区端部均与所述第一隔离区相接触，以划分所述子像素区。