[实用新型]一种输入跃变测试电路

说明书

本实用新型公开了一种输入跃变测试电路，包括依次相连的主路直通单元、辅路切换单元、功率MOSFET驱动单元和跃变信号处理单元，且所述的跃变信号处理单元和所述的主路直通单元相连。本实用新型提供的低功耗的输入跃变测试电路，通过控制小信号间接控制功率MOSFET的开通和关断，利用二极管的开关特性实现输出电压的快速跃变，即运用机械开关控制信号电路，间接控制功率回路的开通和关断，具有低功耗、反应速度快且不易产生异常尖峰及振铃等优点，可靠性更高，应用范围广泛。

技术领域

本实用新型涉及电力电子技术领域，具体地说，涉及一种输入跃变测试电路。

背景技术

对于DC/DC变换器来说，输入电压越变是基本测试项。为测试以上指标，通常有两种手段：专用测试设备或者自制测试电路。

专用测试设备价格昂贵，多用于国家认证的实验室，对于生产型企业来说成本太高；

自制测试电路通常是通过一只共阴极二极管和一个机械开关组成，共阴二极管输入端分别接入高压电源和低压电源，机械开关串联在高压电源一端。这种方法简单可靠，但却存在一个弊端，即机械开关易打火、长时间开关后老化不易于控制。且打火时输入状态不确定，极易出现高压尖峰及振铃，导致测试数据不准确，甚至会损坏后端被测物。

发明内容

针对现有技术存在的不足，本实用新型的目的在于，提供一种低功耗的输入跃变测试电路。解决现有技术中的输入状态不确定、极易出现高压尖峰及振铃，导致测试数据不准确的问题。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案予以实现：

一种输入跃变测试电路，包括依次相连的主路直通单元、辅路切换单元、功率MOSFET驱动单元和跃变信号处理单元，且所述的跃变信号处理单元和所述的主路直通单元相连。

本实用新型还具有如下技术特征：

所述的主路直通单元包括隔离二极管D1；所述的隔离二极管D1的阳极和电源VIN1+连接，阴极和输出端子VO+及辅路切换单元中隔离二极管D2阴极连接。

所述的辅路切换单元包括切换MOSFET Q1和隔离二极管D2；其中，所述的切换MOSFET Q1的源极和电源VIN2+连接，漏极和隔离二极管D2的阳极连接，所述的隔离二极管D2的阴极和主路直通单元中隔离二极管D1的阴极连接，所述的切换MOSFET Q1的栅极和功率MOSFET驱动单元中分压电阻R2的一端连接。

所述的功率MOSFET驱动单元包括分压电阻R1、电阻R2、限流电阻R3、稳压二极管Z1和开关三极管Q2；其中，所述的稳压二极管Z1和分压电阻R1并联后一端和电源VIN2+连接，另一端分别和分压电阻R2的一端、切换MOSFET Q1的栅极连接，所述的分压电阻R2的另一端和开关三极管Q2的集电极连接，所述的开关三极管Q2的发射极和输入地GND端子基极和限流电阻R3的一端连接，所述的限流电阻R3的另一端和跃变信号处理单元中稳压二极管Z2的阴极连接。

所述的跃变信号处理单元包括机械开关K1、分压电阻R4、电阻R5、滤波电容C1和稳压二极管Z2；其中，所述的机械开关K1的一端分别和电源VIN1+、主路直通单元中的隔离二极管D1阳极连接，另一端和分压电阻R4的一端连接，所述的分压电阻R4的另一端分别和电阻R5的一端、滤波电容C1、稳压二极管Z2、功率MOSFET驱动单元中的限流电阻R3连接，所述的电阻R5的另一端和输入地GND端子连接；所述的滤波电容C2和稳压二极管Z2及分压电阻R5并联，稳压二极管Z2的阴极和功率MOSFET驱动单元中的限流电阻R3连接。

所述的限流电阻R3和电阻R5的阻值为10KΩ、分压电阻R1的阻值为100KΩ、分压电阻R2和分压电阻R4的阻值为47KΩ；所述的电容C1的容值为0.1uF；所述的稳压二极管Z1和稳压二极管Z2的稳压值为5.1V。

所述的切换MOSFET Q1为P沟道MOSFET，型号为IRF5401。