[实用新型]显示面板有效
申请号: | 202121412956.4 | 申请日: | 2021-06-24 |
公开(公告)号: | CN213750598U | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 张鑫 | 申请(专利权)人: | 苏州华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/12 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王芳芳 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括基板和设置在所述基板上的多条扫描线、多条数据线和多条共享信号线;所述共享信号线设置在所述扫描线上,所述扫描线和所述共享信号线沿第一方向延伸,所述数据线沿第二方向延伸;所述多条扫描线与所述多条数据线交叉设置以限定多个子像素单元;
所述子像素单元包括第一薄膜晶体管和像素电极;所述第一薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述第一薄膜晶体管的源极或漏极中的一个与所述共享信号线连接,所述第一薄膜晶体管的所述源极或所述漏极中的另一个与所述像素电极连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极包括靠近所述扫描线的主像素电极和远离所述扫描线的次像素电极;
所述子像素单元还包括第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管;
所述第二薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述主像素电极连接;
所述第三薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述第三薄膜晶体管的源极与所述数据线连接,所述第三薄膜晶体管的漏极与所述次像素电极连接;
所述第一薄膜晶体管的源极与所述第三薄膜晶体管的漏极连接,所述第一薄膜晶体管的漏极与所述共享信号线连接。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述子像素单元还包括第二薄膜晶体管;
所述第二薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接;
所述共享信号线与所述像素电极位于同一层。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述子像素单元还包括第二薄膜晶体管;
所述第二薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线连接,所述第二薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接;
所述共享信号线与所述像素电极之间设置有绝缘层。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述绝缘层设置在所述像素电极上,所述共享信号线设置在所述绝缘层上,所述共享信号线包括金属氧化物和/或金属。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述共享信号线包括第一共享线段、第二共享线段和第三共享线段,所述第一共享线段、所述第二共享线段和所述第三共享线段沿所述第一方向延伸并依次连接;
所述第二共享线段沿所述第二方向的宽度大于或等于所述第一共享线段沿第二方向的宽度;所述第二共享线段沿所述第二方向的宽度大于或等于所述第三共享线段沿第二方向的宽度;
所述第二共享线段在所述基板上的正投影位于所述扫描线在所述基板上的正投影范围内。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述扫描线包括第一扫描线段、第二扫描线段和第三扫描线段,所述第一扫描线段、所述第二扫描线段和所述第三扫描线段沿所述第一方向延伸并依次连接;
所述第一共享线段在所述基板上的正投影位于所述第一扫描线段在所述基板上的正投影范围内;所述第三共享线段在所述基板上的正投影位于所述第三扫描线段在所述基板上的正投影范围内。
8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述子像素单元还包括第二薄膜晶体管;
所述第二薄膜晶体管的栅极与所述扫描线连接,所述第二薄膜晶体管的源极或漏极中的一个与所述数据线连接,所述第二薄膜晶体管的源极或漏极中的另一个所述像素电极连接;
所述像素电极包括延伸部,所述延伸部延伸至所述扫描线的上方,所述延伸部包括第一延伸部,所述第一延伸部沿所述第一方向延伸,所述第一延伸部在所述基板上的正投影位于所述扫描线在所述基板上的正投影范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州华星光电技术有限公司,未经苏州华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121412956.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:活塞三配套组件
- 下一篇:垃圾回转窑焚烧设备中的烟气净化系统