[实用新型]薄膜晶体管有效

申请号：	202121413055.7	申请日：	2021-06-24
公开（公告）号：	CN215644387U	公开（公告）日：	2022-01-25
发明（设计）人：	刘凤娟;王东方;刘威;卢昱行;孙宏达;宁策;袁广才	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L21/34	分类号：	H01L21/34;H01L29/786
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	李迎亚;姜春咸
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
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摘要：
搜索关键词：	薄膜晶体管
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【说明书】：

本公开提供一种薄膜晶体管，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管的制备过程中需要较多数量的掩膜板的问题。本公开的薄膜晶体管包括：基底、位于基底上的有源层、位于有源层背离基底一侧的栅极绝缘层、及位于栅极绝缘层背离基底一侧的第一电极、栅极和第二电极；第一电极通过贯穿栅极绝缘层的第一过孔与有源层的一端连接；第二电极通过贯穿栅极绝缘层的第二过孔与有源层的另一端连接；栅极在基底上的正投影与有源层在基底上的正投影至少部分重叠。

技术领域

本公开属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管。

背景技术

薄膜晶体管作为重要的开关控制元件，在显示装置中起着关键性作用。在现有技术中，为了使显示装置具有良好的画面显示质量，通常在显示装置的显示面板内设置薄膜晶体管。

在薄膜晶体管的制备过程中，一般采用掩膜板进行构图工艺，目前的薄膜晶体管的制备工艺较为复杂，相应的使用的掩膜板的数量较多，由于掩膜板的成本较高，因此目前的薄膜晶体管的制备方法不利于成本控制。

实用新型内容

本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种薄膜晶体管。

本公开实施例提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：基底、位于所述基底上的有源层、位于所述有源层背离所述基底一侧的栅极绝缘层、及位于所述栅极绝缘层背离所述基底一侧的第一电极、栅极和第二电极；

所述第一电极通过贯穿所述栅极绝缘层的第一过孔与所述有源层的一端连接；所述第二电极通过贯穿所述栅极绝缘层的第二过孔与所述有源层的另一端连接；所述栅极在所述基底上的正投影与所述有源层在所述基底上的正投影至少部分重叠。

可选地，所述薄膜晶体管还包括：位于所述基底上的遮挡层、及位于所述遮挡层背离所述基底一侧的缓冲层；

所述遮挡层在所述基底上的正投影与所述有源层在所述基底上的正投影至少部分重叠。

可选地，所述第二电极通过贯穿所述栅极绝缘层和所述缓冲层的第三过孔与所述遮挡层连接。