[实用新型]微沟槽IGBT有效
| 申请号： | 202121414363.1 | 申请日： | 2021-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN215731728U | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 俞义长;赵善麒 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 陈红桥 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 igbt | ||
1.一种微沟槽IGBT，其特征在于，包括：
半导体衬底和IGBT元胞，所述IGBT元胞采用MPT结构，所述IGBT元胞包括：多个真栅极单元，相邻所述真栅极单元之间设有数量不等的假沟槽单元和/或假栅极单元，且所述假沟槽单元和/或所述假栅极单元对称设置；
相连沟槽之间中间通过注入推结形成PW导电层覆盖到沟槽底部，且在所述真栅极单元两侧通过注入推结在所述PW导电层下部形成JFET层。
2.根据权利要求1所述的微沟槽IGBT，其特征在于，所述PW导电层与所述半导体衬底的类型相反。
3.根据权利要求2所述的微沟槽IGBT，其特征在于，所述真栅极单元两侧通过注入推结形成与所述PW导电层类型相反的源层。
4.根据权利要求1所述的微沟槽IGBT，其特征在于，所述真栅极单元和所述假栅极单元的分别通过接触孔连接栅极金属，所述假沟槽单元连接发射极金属。
5.根据权利要求1所述的微沟槽IGBT，其特征在于，相邻所述真栅极单元之间设有1个所述假栅极单元和2个所述假沟槽单元。
6.根据权利要求1所述的微沟槽IGBT，其特征在于，相邻所述真栅极单元之间设有2个所述假栅极单元和3个所述假沟槽单元。
7.根据权利要求1所述的微沟槽IGBT，其特征在于，相邻所述真栅极单元之间设有1个所述假栅极单元。
8.根据权利要求1所述的微沟槽IGBT，其特征在于，相邻所述真栅极单元之间设有1个所述假沟槽单元。
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