[实用新型]一种有效降低激光产品空间辐射的EMI抑制电路

说明书

本实用新型公开了一种有效降低激光产品空间辐射的EMI抑制电路，其EMI磁珠FB1的一端接电源输入12V，另一端接Q15的漏极；Q15的栅极接R116及D21正极，Q15的源极接Q17的漏极及U9第15脚及R31及L7；Q17的栅极接R136及D28正极，Q17的源极接EMI磁珠FB2；EMI磁珠FB2的另一端接RGND；通过利用EMI磁珠FB1、FB2的低通高阻特性，使得Q15和Q16对30MHz及更高频率骚扰无法或轻微进行功率放大，从而有效地滤除或降低激光产品电压转换电路的输出及对电源或地线的干扰；其整体设计简单明了，低成本，安全可靠，降低了输出干扰，有效地抑制了产品的电磁辐射。

技术领域

本实用新型涉及激光电子产品的电压转换电路技术领域，具体为一种有效降低激光产品空间辐射的EMI抑制电路。

背景技术

随着电子技术、互联网技术的迅猛发展，人民生活水平的不断提高，各式各样的含有开关电源的电子产品普遍地进入了我们的生活当中，在电子产品给我们带来便利的同时，也应允而生各种电磁污染；电磁污染我们看不见摸不着，却时时刻刻骚扰周边电子设备使用安全和严重影响我们的身心健康，为此IEC(国际电工委员会)制定了一系列的行业标准来规范各生产单位，以达到降低电磁污染的目标；我国于2001年加入世贸组织，开始实施CCC强制认证，为满足相应的EMC(电磁兼容)标准，提出一种有效降低激光产品空间辐射的EMI抑制电路。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种有效降低激光产品空间辐射的EMI抑制电路，具有设计简单明了，低成本，安全可靠，且非常有效降低空间辐射的优点，解决了现有技术中电磁污染大难题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种有效降低激光产品空间辐射的EMI抑制电路，包括EMI磁珠FB1和EMI磁珠FB2，所述EMI磁珠FB1的一端接电源输入12V，另一端接Q15的漏极；所述Q15为开关MOS管，Q15的栅极接R116及D21正极，Q15的源极接Q17的漏极及U9第15脚及R31及L7；所述Q17为开关MOS管，Q17的栅极接R136及D28正极，Q17的源极接EMI磁珠FB2；EMI磁珠FB2的另一端接RGND。

优选的，所述EMI磁珠FB1和EMI磁珠FB2的型号大小相同，EMI磁珠FB1和EMI磁珠FB2包括镀层、端电极、内导体线圈和铁氧体，内导体线圈固定安装在铁氧体的内端，端电极固定安装在铁氧体的侧端，镀层镀在端电极的外侧。

优选的，所述EMI磁珠FB1和EMI磁珠FB2的额定电流至少为其最大输出电流的两倍。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：

本有效降低激光产品空间辐射的EMI抑制电路，通过利用EMI磁珠FB1和EMI磁珠FB2的低通高阻特性，使得EMI磁珠FB1和EMI磁珠FB2对30MHz及更高频率呈高阻抗特性，因此，开关MOS管Q15和Q16在工作时对30MHz及更高频率骚扰无法或轻微进行功率放大，从而非常有效地滤除或降低激光产品电压转换电路的输出及对电源或地线的干扰；其整体设计简单明了，低成本，安全可靠，降低了输出干扰，有效地抑制了产品的电磁辐射。

附图说明

图1为本实用新型的整体电路连接图；

图2为本实用新型的EMI磁珠外形图；

图3为本实用新型的EMI磁珠结构图。

图中：1、镀层；2、端电极；3、内导体线圈；4、铁氧体。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。