[实用新型]一种高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 202121446858.2 | 申请日： | 2021-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN215183857U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 何先良;林志东;魏鸿基 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/28;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/423;H01L29/45;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京超成律师事务所 11646 | 代理人： | 王雪 |
| 地址： | 361100 福建省厦门*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 迁移率 晶体管 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括衬底以及在所述衬底上依序设置的沟道层、第一隔离层、第一掺杂层、势垒层、低能隙遂穿层、砷化铝刻蚀阻挡层、第一N型掺杂层、砷化铟镓刻蚀阻挡层和第二N+型掺杂层；在所述第一N型掺杂层表面形成有栅极凹槽，所述栅极凹槽依次穿透所述第二N+型掺杂层、所述砷化铟镓刻蚀阻挡层、所述第一N型掺杂层和所述砷化铝刻蚀阻挡层以露出所述低能隙遂穿层，在所述栅极凹槽的两侧设置有与所述第二N+型掺杂层接触的源极和漏极，在所述栅极凹槽内设置有与所述低能隙遂穿层接触的栅极。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，在所述衬底和所述沟道层之间还设置有缓冲层。
3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，在所述缓冲层和所述沟道层之间依序设置有位于所述缓冲层上的第二掺杂层和第二隔离层。
4.如权利要求1至3任一项所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述低能隙遂穿层为砷化镓层或砷化铟镓层。
5.如权利要求1至3任一项所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述砷化铝刻蚀阻挡层和所述砷化铟镓刻蚀阻挡层的厚度均为1nm至5nm。
6.如权利要求5所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述沟道层的厚度为5nm至15nm；所述第一隔离层的厚度为3nm至8nm；所述势垒层的厚度为12nm至20nm；所述低能隙遂穿层的厚度为1nm至5nm；所述第一N型掺杂层的厚度为10nm至40nm；所述第二N+型掺杂层的厚度为30nm至80nm。
7.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一掺杂层和所述第二掺杂层均为平面掺杂层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
