[实用新型]一种适用于PVT法提高晶体质量的石墨坩埚

权利要求书

1.一种适用于PVT法提高晶体质量的石墨坩埚，其特征在于：包括坩埚(1)、第一石墨隔层(2)和第二石墨隔层(3)，坩埚(1)内设有原料放置区(8)，原料(7)放置在原料放置区(8)内，第一石墨隔层(2)和第二石墨隔层(3)设置在坩埚(1)内，第一石墨隔层(2)布置在第二石墨隔层(3)的下方，第一石墨隔层(2)和第二石墨隔层(3)布置在原料放置区(8)的上方，第一石墨隔层(2)和第二石墨隔层(3)上分别加工有多个通孔，第二石墨隔层(3)上的通孔直径大于第一石墨隔层(2)的通孔直径，籽晶(9)设置在坩埚(1)顶部内壁上。

2.根据权利要求1所述的一种适用于PVT法提高晶体质量的石墨坩埚，其特征在于：所述第一石墨隔层(2)上通孔的直径范围在1～2.5mm之间，第二石墨隔层(3)上通孔的直径范围在4～6mm之间。

3.根据权利要求2所述的一种适用于PVT法提高晶体质量的石墨坩埚，其特征在于：所述第一石墨隔层(2)与第二石墨隔层(3)之间形成碳颗粒填充区(5)，碳颗粒填充区(5)内填充有碳颗粒(10)，碳颗粒(10)的直径为3mm，碳颗粒(10)的厚度为1cm。

4.根据权利要求3所述的一种适用于PVT法提高晶体质量的石墨坩埚，其特征在于：所述坩埚(1)的侧壁上安装有氮气输入管(4)，氮气输入管(4)与坩埚(1)的连接处设有密封圈(6)。