[实用新型]一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构

权利要求书

1.一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，包括结构本体，所述结构本体上设置有结构矩阵区域，在所述结构矩阵区域数组序号对应的位置设置有像素点，所述像素点对应位置上设置直径为圆孔，所述像素点根据材料的不同赋予了不同的数值。

2.如权利要求1所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，所述圆孔的材料为Si或者SiO₂。

3.如权利要求1所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，当圆孔材料为Si，像素点赋值为1，反之，当圆孔材料为SiO_2，像素点赋值为0。

4.如权利要求1所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，当圆孔材料为Si，像素点赋值为0，反之，当圆孔材料为SiO₂，像素点赋值为1。

5.如权利要求1所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，所述结构本体的尺寸为2.5-4.5μm×0.6-2.6μm。

6.如权利要求1所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，所述结构本体刻蚀深度h为150-250nm。

7.如权利要求1所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，所述结构矩阵为m×n，m和n的取值范围是12-50。

8.如权利要求2所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，所述像素点的大小为a nm×a nm，a的取值范围是100nm–200nm。

9.如权利要求3所述的一种基于波导模式的高维片上量子逻辑门结构，其特征在于，所述圆孔直径的直径为d，d的取值范围是90nm-150nm。