[实用新型]一种半导体器件及半导体器件组件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括输入端子、输出端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器；

所述多个串联的薄膜体声波谐振器包括第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器、第三薄膜体声波谐振器、第四薄膜体声波谐振器、第五薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器，串联连接在所述输入端子和输出端子之间；

所述多个并联的薄膜体声波谐振器包括第七薄膜体声波谐振器、第八薄膜体声波谐振器和第九薄膜体声波谐振器，所述第七薄膜体声波谐振器、第八薄膜体声波谐振器和第九薄膜体声波谐振器的一端分别连接在所述多个串联的薄膜体声波谐振器中的两个薄膜体声波谐振器之间的节点上；所述第七薄膜体声波谐振器、第八薄膜体声波谐振器和第九薄膜体声波谐振器的另一端分别连接接地端子；

所述第一薄膜体声波谐振器、所述第二薄膜体声波谐振器和所述第三薄膜体声波谐振器的中心连线构成第一V字型，所述第二薄膜体声波谐振器、所述第三薄膜体声波谐振器和所述第四薄膜体声波谐振器的中心连线构成第二V字型，所述第三薄膜体声波谐振器、所述第四薄膜体声波谐振器和所述第五薄膜体声波谐振器的中心连线构成第三V字型，所述第四薄膜体声波谐振器、所述第五薄膜体声波谐振器和所述第六薄膜体声波谐振器的中心连线构成第四V字型，相邻的两个V字型的开口朝相相反，且所述第一V字型和所述第二V字型的开口角度均小于90°，所述第三V字型和所述第四V字型的开口角度均大于90°。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个串联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同；所述多个并联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同。

3.如权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述多个串联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和所述多个并联的薄膜体声波谐振器的并联谐振频率相同。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件对称时，所述第一薄膜体声波谐振器和所述第六薄膜体声波谐振器的面积相同，所述第二薄膜体声波谐振器和所述第五薄膜体声波谐振器的面积相同，所述第三薄膜体声波谐振器和所述第四薄膜体声波谐振器的面积相同，所述第七薄膜体声波谐振器和所述第九薄膜体声波谐振器的面积相同。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件不对称时，第一薄膜体声波谐振器为13457μm²-13657μm²，所述第二薄膜体声波谐振器为17442μm²-17642μm²，所述第三薄膜体声波谐振器为9684μm²-9884μm²，所述第四薄膜体声波谐振器为6124μm²-6324μm²，所述第五薄膜体声波谐振器为17609μm²-17809μm²，所述第六薄膜体声波谐振器的面积为10885μm²-11085μm²，所述第七薄膜体声波谐振器和所述第九薄膜体声波谐振器的面积为6059μm²-6259μm²，所述第八薄膜体声波谐振器为19725μm²-19925μm²，所述第九薄膜体声波谐振器为17013μm²-17213μm²。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括压电层，所述半导体器件的版图主要包括牺牲层、下电极层、上电极层、差频层和孔层，所述差频层与所述多个并联的薄膜体声波谐振器对应，所述多个串联的薄膜体声波谐振器不具有所述差频层；所述孔层中开设有多个释放孔，每个薄膜体声波谐振器均设有多个释放通道，每个所述释放通道至少对应一个释放孔。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述上电极层的厚度为所述下电极层的厚度为所述压电层的厚度为所述差频层的厚度为所述释放孔的直径为15μm-25μm。