[实用新型]阶梯型结构压电滤波器有效
申请号: | 202121478267.3 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN216146304U | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 张仕强;李丽;李宏军;王胜福;李亮;申晓芳;张俊杰;梁东升;袁柯;韩易;彭朝霞;梁伟;曲晓华;范江海 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
主分类号: | H03H9/56 | 分类号: | H03H9/56;H03H9/58 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 付晓娣 |
地址: | 050051 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阶梯 结构 压电 滤波器 | ||
1.一种阶梯型结构压电滤波器,其特征在于,包括输入端子、输出端子、接地端子、多个串联的薄膜体声波谐振器和多个并联的薄膜体声波谐振器;
所述多个串联的薄膜体声波谐振器包括依次连接的第一薄膜体声波谐振器、第二薄膜体声波谐振器、第三薄膜体声波谐振器、第四薄膜体声波谐振器、第五薄膜体声波谐振器和第六薄膜体声波谐振器,所述多个串联的薄膜体声波谐振器串联连接在所述输入端子和输出端子之间;
所述多个并联的薄膜体声波谐振器包括第七薄膜体声波谐振器、第八薄膜体声波谐振器、第九薄膜体声波谐振器和第十薄膜体声波谐振器;所述第七薄膜体声波谐振器和第八薄膜体声波谐振器的一端依次连接在所述第一薄膜体声波谐振器至第三薄膜体声波谐振器之间的节点上;所述第九薄膜体声波谐振器和第十薄膜体声波谐振器的一端依次连接在所述第四薄膜体声波谐振器至第六薄膜体声波谐振器之间的节点上;且所述第八薄膜体声波谐振器的另一端与所述第九薄膜体声波谐振器的另一端连接后与所述接地端子连接;所述第七薄膜体声波谐振器和所述第九薄膜体声波谐振器的另一端分别与所述接地端子连接。
2.如权利要求1所述的阶梯型结构压电滤波器,其特征在于,所述多个串联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同;所述多个并联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和并联谐振频率相同。
3.如权利要求1或2所述的阶梯型结构压电滤波器,其特征在于,所述多个串联的薄膜体声波谐振器的串联谐振频率和所述多个并联的薄膜体声波谐振器的并联谐振频率相同。
4.如权利要求1所述的阶梯型结构压电滤波器,其特征在于,所述第一薄膜体声波谐振器的面积为18050μm2-18150μm2,所述第二薄膜体声波谐振器和所述第四薄膜体声波谐振器的面积为13250μm2-13350μm2,所述第三薄膜体声波谐振器和所述第四薄膜体声波谐振器的面积为8450μm2-8550μm2,所述第五薄膜体声波谐振器的面积为12450μm2-12550μm2,所述第六薄膜体声波谐振器的面积为15750μm2-15850μm2,所述第七薄膜体声波谐振器的面积为25850μm2-25950μm2,所述第八薄膜体声波谐振器和所述第九薄膜体声波谐振器的面积为23450μm2-23550μm2,所述第十薄膜体声波谐振器的面积为25650μm2-25750μm2。
5.如权利要求1所述的阶梯型结构压电滤波器,其特征在于,所述阶梯型结构压电滤波器的版图主要包括牺牲层、下电极层、上电极层、差频层和孔层,所述差频层仅与所述多个并联的薄膜体声波谐振器对应,所述孔层中开设有多个释放孔。
6.如权利要求5所述的阶梯型结构压电滤波器,其特征在于,所述上电极层的厚度为所述下电极层的厚度为所述差频层的厚度为所述释放孔的直径为15μm-25μm。
7.如权利要求5所述的阶梯型结构压电滤波器,其特征在于,每个所述薄膜体声波谐振器上均设有多个释放通道,且每个所述释放通道至少对应一个所述释放孔。
8.如权利要求5所述的阶梯型结构压电滤波器,其特征在于,压电层的厚度为
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