[实用新型]电池充放电电路及移动终端有效

专利信息
申请号: 202121481523.4 申请日: 2021-06-30
公开(公告)号: CN215452537U 公开(公告)日: 2022-01-07
发明(设计)人: 周继浩;李康泉;蔡小丽 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 代理人: 黄章辉
地址: 518118 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 电池 放电 电路 移动 终端
【权利要求书】:

1.一种电池充放电电路,其特征在于,所述电池充放电电路包括:

第一电阻,其第一端连接电池的第一负极端;

第二电阻,其第一端连接所述电池的第二负极端;

第三电阻,其第一端连接所述电池的正极端;

第四电阻,其第一端连接所述电池的正极端;

第一开关模块,其第一端连接所述第一电阻的第二端,其第二端为所述电池充放电电路的第一负极输出端;

第二开关模块,其第一端连接所述第二电阻的第二端,其第二端为所述电池充放电电路的第二负极输出端;

第三开关模块,其第一端连接所述第三电阻的第二端,其第二端为所述电池充放电电路的第一正极输出端;

第四开关模块,其第一端连接所述第四电阻的第二端,其第二端为所述电池充放电电路的第二正极输出端;

第一保护芯片,其电压采集端分别连接所述第一电阻的两端和所述第二电阻的两端,其第一输出端连接所述第一开关模块的第一控制端和第二开关模块的第一控制端,其第二输出端连接所述第一开关模块的第二控制端和第二开关模块的第二控制端;

第二保护芯片,其电压采集端分别连接所述第三电阻的两端和所述第四电阻的两端,其第一输出端连接所述第三开关模块的第一控制端和第四开关模块的第一控制端,其第二输出端连接所述第三开关模块的第二控制端和第四开关模块的第二控制端;

当所述电池处于第一状态时,所述第一保护芯片通过所述第一电阻和第二电阻获取第一电流的电压降电压,所述第二保护芯片通过所述第三电阻和第四电阻获取第二电流的电压降电压;

当所述第一电流的电压降电压大于第一保护芯片设定的第一状态过电流保护电压时,所述第一保护芯片控制所述第一开关模块和所述第二开关模块切换至单向导通状态;

和/或,当所述第二电流的电压降电压大于第二保护芯片设定的第一状态过电流保护电压时,所述第二保护芯片控制所述第三开关模块和所述第四开关模块切换至单向导通状态;

其中,所述单向导通状态使所述电池的工作状态从第一状态切换至第二状态的准备状态,所述第一状态为充电状态和放电状态中的一者,所述第二状态为充电状态和放电状态中的另一者。

2.如权利要求1所述的电池充放电电路,其特征在于,当所述电池处于充电状态时,所述第一保护芯片通过所述第一电阻和第二电阻获取第一充电电流的电压降电压,所述第二保护芯片通过所述第三电阻和第四电阻获取第二充电电流的电压降电压;当所述第一充电电流的电压降电压大于第一保护芯片设定的充电保护电压时,所述第一保护芯片控制所述第一开关模块和所述第二开关模块切换至第一单向导通状态;当所述第二充电电流的电压降电压大于第二保护芯片设定的充电保护电压时,所述第二保护芯片控制所述第三开关模块和所述第四开关模块切换至第一单向导通状态,所述第一单向导通状态使所述电池的工作状态从充电状态切换至放电状态的准备状态;

当所述电池处于放电状态时,所述第一保护芯片通过所述第一电阻和第二电阻获取第一放电电流的电压降电压,所述第二保护芯片通过所述第三电阻和第四电阻获取第二放电电流的电压降电压,当所述第一放电电流的电压降电压大于第一保护芯片设定的放电保护电压时,所述第一保护芯片控制所述第一开关模块和所述第二开关模块切换至第二单向导通状态,当所述第二放电电流的电压降电压大于第二保护芯片设定的放电保护电压时,所述第二保护芯片控制所述第三开关模块和所述第四开关模块切换至第二单向导通状态,所述第二单向导通状态使所述电池的工作状态从放电电状态切换至充电状态的准备状态。

3.如权利要求1所述的电池充放电电路,其特征在于,所述第一保护芯片的电源输入端连接所述电池的正极,所述第二保护芯片的电源输入端连接所述第三电阻的第二端,当所述电池处于充电状态时,所述第一保护芯片获取第一输入电压,所述第二保护芯片获取第二输入电压,当所述第一输入电压超过所述第一保护芯片设定的过充保护电压并持续第一预设时间时,所述第一保护芯片控制所述第一开关模块和所述第二开关模块切换至第一单向导通状态,当所述第二输入电压超过所述第二保护芯片设定的过充保护电压并持续第二预设时间时,所述第二保护芯片控制所述第三开关模块和所述第四开关模块切换至第一单向导通状态,所述第一单向导通状态使所述电池的工作状态从充电状态切换至放电状态的准备状态,其中,所述第二保护芯片设定的过充保护电压高于所述第一保护芯片设定的过充保护电压。

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